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宽带隙半导体市场规模及份额主要参与者
电子半导体与ICT

宽带隙半导体市场规模及份额

Wide Band Gap Semiconductor

宽带隙半导体市场规模及份额采用结构化市场口径;市场规模覆盖2024年、2025年、2030年;预测期复合年增长率为13.1%。

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更新时间2026-07-31
内容类型市场研究报告

市场研究正文

规模、增长、细分、驱动因素与关键问题

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核心结论

宽带隙半导体市场规模及份额采用结构化市场口径;市场规模覆盖2024年、2025年、2030年;预测期复合年增长率为13.1%。

市场走势

结构化指标

指标年份数值性质
预测期复合年增长率203013.1%机构预测
市场规模2024USD 4.04B基准/历史
市场规模2025USD 4.56B机构预测
市场规模2030USD 8.56B机构预测

细分市场份额

power modules device_type · 202447.600%
automotive and transportation end_use_industry · 202435.400%
APAC geography · 202453.100%
silicon carbide material · 202468.100%

市场结构

维度细分项年份份额
device_typepower modules202447.600%
end_use_industryautomotive and transportation202435.400%
geographyAPAC202453.100%
materialsilicon carbide202468.100%

关键结论

  • device_type 维度中,power modules 在 2024 年的公开份额为 47.6%。
  • end_use_industry 维度中,automotive and transportation 在 2024 年的公开份额为 35.4%。
  • geography 维度中,APAC 在 2024 年的公开份额为 53.1%。
  • material 维度中,silicon carbide 在 2024 年的公开份额为 68.1%。

主要参与者

  1. STMicroelectronics
  2. Infineon Technologies

增长驱动因素

因素影响 CAGR地区相关性影响周期
SiC成本曲线降至美元以下功率 MOSFET 0.08/A+2.800%中国第一;更广泛的亚太地区后续行动中期(2-4 年)
电动汽车快速采用 >800 V 牵引逆变器+3.200%欧洲和中国领先;北美扩展短期(≤2年)
5G基站射频前端转向GaN HEMT+1.900%以亚太地区为中心,进行全球部署中期(2-4 年)
政府 SiC 晶圆厂补贴+2.100%美国、欧盟、日本;全球溢出效应长期(≥ 4 年)
可再生微电网固态断路器+1.400%欧洲和北美先锋长期(≥4年)
超高温航空航天电子产品+1.000%北美和欧洲国防中心长期(≥ 4 年)

市场制约因素

因素影响 CAGR地区相关性影响周期
SiC 晶锭良率损失使 >150 mm 晶圆低于 35%-1.800%全球;新晶圆厂中最高中期(2-4 年)
台湾以外的 GaN 外延片供应有限-1.200%北美和欧洲受到影响短期(≤ 2 年)
汽车ECU的可靠性资格差距-0.900%E欧洲和日本严格中期(2-4年)
IP整合限制新的晶圆厂进入%新兴市场受影响最严重长期(≥ 4 年)

报告关注的关键问题

当今宽带隙半导体市场有多大?

2024年市场规模约为40.4亿美元;2025年市场规模约为45.6亿美元;2025—2030年复合年增长率为13.1%。

是什么推动了向 800 V 电动汽车系统的转变?

汽车制造商采用 800 V 架构来缩短充电时间并减少充电时间电缆重量和碳化硅 MOSFET 可实现所需的高电压、高效率开关。

目前哪种材料在市场份额方面处于领先地位?

受益于成熟的供应链和汽车认证,碳化硅占 2024 年收入的 68.1% 处于领先地位。

为什么金刚石对电力电子器件越来越感兴趣?

金刚石的导热系数是 SiC 的 5 倍,并且带隙比 SiC 更宽,这使其对极端温度航空航天和国防系统具有吸引力。

Vieter 校准:机构预测不等于实际成交、订单、交付或出货。跨报告比较需要同时核对市场边界、基准年、币种及是否包含软件服务。本站不提供报告原文或全文译文。
查看来源:Mordor Intelligence