电子半导体与ICT
亚太地区NOR闪存市场规模及份额
Asia-Pacific NOR Flash
亚太地区NOR闪存市场规模及份额采用结构化市场口径；市场规模覆盖2025年、2030年；预测期复合年增长率为6.10%。
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更新时间2026-07-31
内容类型市场研究报告
市场研究正文
规模、增长、细分、驱动因素与关键问题
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核心结论
亚太地区NOR闪存市场规模及份额采用结构化市场口径；市场规模覆盖2025年、2030年；预测期复合年增长率为6.10%。
市场走势
市场规模变化
预测期复合增长率 CAGR6.1%机构预测 · 2030
结构化指标
| 指标 | 年份 | 数值 | 性质 |
|---|---|---|---|
| 预测期复合年增长率 | 2030 | 6.1% | 机构预测 |
| 市场规模 | 2025 | USD 1.88B | 机构预测 |
| 市场规模 | 2030 | USD 2.52B | 机构预测 |
细分市场份额
市场结构
| 维度 | 细分项 | 年份 | 份额 |
|---|---|---|---|
| density | 128 Megabit and Less (greater than 64MB) | 2024 | 30.300% |
| interface | SPI and Dual-SPI still | 2024 | 53.200% |
| packaging_type | QFN and SOIC packages | 2024 | 49.600% |
| type | Serial devices | 2024 | 84.200% |
| voltage | the 3 V Class | 2024 | 52.300% |
关键结论
- density 维度中，128 Megabit and Less (greater than 64MB) 在 2024 年的公开份额为 30.3%。
- interface 维度中，SPI and Dual-SPI still 在 2024 年的公开份额为 53.2%。
- packaging_type 维度中，QFN and SOIC packages 在 2024 年的公开份额为 49.6%。
- type 维度中，Serial devices 在 2024 年的公开份额为 84.2%。
- voltage 维度中，the 3 V Class 在 2024 年的公开份额为 52.3%。
增长驱动因素
| 因素 | 影响 CAGR | 地区相关性 | 影响周期 |
|---|---|---|---|
| Bo中日汽车电子未来 ADAS 和信息娱乐存储器需求 | +2.100% | 中国；日本;韩国 | 中期（2-4 年） |
| 以 OLED 为中心的智能手机设计推动高密度串行 NOR | +1.700% | 中国；韩国；台湾 | 短期（≤2年） |
| 芯片自给自足激励措施加速区域NOR晶圆厂建设 | +1.500% | 中国；印度;台湾 | 长期（≥4年） |
| 东盟物联网制造集群寻求低功耗代码存储 | +1.200% | 新加坡；马来西亚;越南;泰国;菲律宾;印度尼西亚 | 中期（2-4年） |
| 台湾和韩国工业自动化的工业4.0升级 | +1.000% | 台湾、韩国 | 中期（2-4 年） |
| 亚太地区设计公司转向八进制/HyperBus NOR 架构 | +0.900% | 中国、台湾、韩国、日本 | 短期（≤ 2 年） |
市场制约因素
| 因素 | 影响 CAGR | 地区相关性 | 影响周期 |
|---|---|---|---|
| 深圳设计中的低成本 NAND 和 ReRAM 拆解获胜 | -0.800% | 中国；台湾 | 中期（2-4 年） |
| 台湾 12 英寸代工紧张导致价格波动 | -0.700% | 台湾（全球波动） | 短期（≤2 年） |
| 28 nm/22 nm NOR 研发资本支出与主流逻辑线相比不断升级 | -0.600% | 台湾、韩国、中国 | 中期（2-4年） |
| 对中国大陆EUV/DUV工具的出口管制限制 | -0.500% | 中国，溢出到台湾 | 长期（≥ 4 年） |
报告关注的关键问题
亚太地区 NOR 闪存市场目前规模有多大？
2025 年市场规模为 18.8 亿美元，预计将达到近 25.2 亿美元到 2030 年。
哪个国家引领 NOR Flash 的区域需求？
由于其广泛的电子制造生态系统和汽车电子产品，中国占据了约 70% 的收入
为什么八进制和 HyperFlash 接口获得认可？
它们提供高达 800 MB/s 的吞吐量，数据密集型汽车和工业系统中的启动时间。
3D NOR 将如何使嵌入式应用受益？
3D 堆叠可提供高达八倍的密度增加每个芯片的容量，从而在不牺牲就地执行功能的情况下实现复杂固件的单封装存储。
什么威胁着成本敏感型设计中 NOR Flash 的增长？
低成本串行 NAND 和新兴 ReRAM 提供更高的位密度，有可能在不需要就地执行的情况下取代 NOR。
Vieter 校准：机构预测不等于实际成交、订单、交付或出货。跨报告比较需要同时核对市场边界、基准年、币种及是否包含软件服务。本站不提供报告原文或全文译文。
查看来源：Mordor Intelligence
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