电子半导体与ICT
氮化镓衬底市场规模及份额
GaN Substrate
氮化镓衬底市场规模及份额采用结构化市场口径；市场规模覆盖2025年、2030年；预测期复合年增长率为11.37%。
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更新时间2026-07-31
内容类型市场研究报告
市场研究正文
规模、增长、细分、驱动因素与关键问题
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核心结论
氮化镓衬底市场规模及份额采用结构化市场口径；市场规模覆盖2025年、2030年；预测期复合年增长率为11.37%。
市场走势
市场规模变化
预测期复合增长率 CAGR11.37%机构预测 · 2030
结构化指标
| 指标 | 年份 | 数值 | 性质 |
|---|---|---|---|
| 预测期复合年增长率 | 2030 | 11.37% | 机构预测 |
| 市场规模 | 2025 | USD 350M | 机构预测 |
| 市场规模 | 2030 | USD 600M | 机构预测 |
细分市场份额
市场结构
| 维度 | 细分项 | 年份 | 份额 |
|---|---|---|---|
| application | LEDs | 2024 | 47.820% |
| end_use_industry | consumer electronics | 2024 | 34.970% |
| geography | Asia-Pacific | 2024 | 69.830% |
| substrate_type | GaN-on-sapphire | 2024 | 64.320% |
关键结论
- application 维度中，LEDs 在 2024 年的公开份额为 47.82%。
- end_use_industry 维度中，consumer electronics 在 2024 年的公开份额为 34.97%。
- geography 维度中，Asia-Pacific 在 2024 年的公开份额为 69.83%。
- substrate_type 维度中，GaN-on-sapphire 在 2024 年的公开份额为 64.32%。
主要参与者
- Sumitomo Electric
- Mitsubishi Chemical
增长驱动因素
| 因素 | 影响 CAGR | 地区相关性 | 影响周期 |
|---|---|---|---|
| 电动汽车车载快速充电系统的采用率不断上升 | +2.800% | 全球重点关注中国、北美、欧洲 | 中期限（2-4 年） |
| 激增的 micro-LED 显示器产量需要低缺陷原生 GaN 晶圆 | +2.100% | 亚太核心，溢出到北美 | 中期（2-4 年） |
| 电信 5G/6G PA 建设加速了对高导热性 GaN-on-SiC 衬底的需求 | +1.900% | 全球，在北美、欧洲、韩国进行早期部署 | 短期（≤ 2）年） |
| 6 英寸 HVPE 独立式 GaN 生产快速扩大规模，降低每平方厘米成本 | +1.700% | 亚太制造中心，扩展到北美 | 长期（≥ 4 年） |
| 政府资助的晶圆再利用计划将基板成本削减超过 40% | +1.400% | 北美、欧洲 | 长期限（≥4年） |
| 针对极高功率密度的金刚石集成 GaN 衬底的风险投资 | +1.000% | 北美、欧洲研究中心 | 长期（≥ 4 年） |
市场制约因素
| 因素 | 影响 CAGR | 地区相关性 | 影响周期 |
|---|---|---|---|
| 与 Si 和 SiC 相比，晶圆价格溢价较高，限制了采用 | -2.300% | 全球性，新兴市场更强市场 | 中期（2-4 年） |
| 6 英寸晶圆上螺纹位错簇造成的器件良率损失 | -1.800% | 亚太地区ABS，在全球范围内扩展 | 短期（≤ 2 年） |
| HVPE/氨热设备和氯气的供应链瓶颈 | -1.500% | 全球，集中在亚太地区 | 中期（2-4年） |
| 2024年中国限制后镓原料的地缘政治出口管制风险 | -1.200% | 全球化，对非中国制造商至关重要 | 短期（≤ 2 年） |
报告关注的关键问题
GaN衬底市场目前的价值是多少？
2025年GaN衬底市场规模为3.5亿美元，预计将增至6.0亿美元到 2030 年。
哪个地区的 GaN 衬底制造能力领先？
得益于全球集成供应链，亚太地区占出货量的近 70%中国、日本和韩国。
哪个应用领域的 GaN 衬底增长最快？
功率半导体是增长最快的用例，随着电动汽车和可再生能源采用率的不断提高，复合年增长率为 11.89%。
GaN 衬底成本与碳化硅相比如何？
尽管激光切片和 HVPE 放大正在缩小差距，但 GaN 晶圆仍比 SiC 贵 50-80%。
为什么 8 英寸 GaN 晶圆很重要？
直径改为 8 英寸可提高每晶圆的芯片产量并降低每平方厘米的成本，使 GaN 在大批量功率器件方面更具竞争力。
主要技术障碍是什么用于大直径GaN
6 英寸及更大晶圆上的高螺纹位错密度会降低器件良率，从而促进密集的缺陷减少研发。
Vieter 校准：机构预测不等于实际成交、订单、交付或出货。跨报告比较需要同时核对市场边界、基准年、币种及是否包含软件服务。本站不提供报告原文或全文译文。
查看来源：Mordor Intelligence
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