下一代非易失性存储器市场（2024 - 2030）

市场规模及趋势

“2030年下一代非易失性存储器市场价值将达到182.3亿美元”

2023年全球下一代非易失性存储器市场规模估计为61.5亿美元，预计从 2024 年到 2030 年，复合年增长率将达到 17.8%。下一代非易失性存储器 (NVM) 技术是新兴的存储解决方案，可实现高速数据访问并在断电期间保持数据完整性。随着物联网设备和人工智能 (AI) 的日益普及，对更高存储解决方案的需求显着增加。对数据存储和处理能力不断增长的需求以及新兴技术的日益采用正在推动下一代非易失性存储器市场。

市场&rsqua; 的增长是由数据存储需求的增加、半导体技术的进步以及自动驾驶汽车和人工智能等新兴技术的日益采用所推动的。市场上有各种各样的下一代存储器选择，例如相变存储器 (PCM)、电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 和磁性随机存取存储器 (MRAM)。与闪存等传统非易失性存储器相比，这些技术提供更快的访问时间、更高的存储容量和卓越的耐用性。

商业中大数据量的不断增加以及云存储解决方案的广泛采用导致对大容量和快速存储存储器的需求不断增长。对具有改进性能的先进产品的需求不断增加。为了满足对提供高速和低功耗的存储设备的需求，正在开发各种新兴的非易失性存储技术。这些技术提供了 si与现有内存解决方案相比具有显着优势。

随着消费电子、汽车和企业存储等行业对高性能数据存储的需求不断增长，这些技术比传统内存解决方案具有显着优势。此外，物联网 (IoT)、大数据分析和机器学习等新兴技术的兴起，对有效、可靠的存储解决方案产生了巨大需求。

类型洞察

2023 年，高带宽内存 (HBM) 领域成为市场领导者，由于对高带宽、低功耗的需求不断增长以及人工智能和大数据等新兴技术的采用，高带宽内存 (HBM) 领域占据了 59.1% 的最大收入份额消费电子设备的分析和上升趋势。此外，汽车行业的进步正在促进高带宽内存的增长，这种内存可提供高性能和更高的数据传输速率。

On相反，混合存储立方体（HMC）细分市场预计从2024年到2030年将呈现19.0%的复合年增长率，这归因于其独特的设计、先进的技术以及与传统内存相比更好的性能。 HMC 紧凑的设计和先进的功能使其成为人工智能、物联网、机器学习和数据中心等优先考虑节能的不同行业和应用的有吸引力的解决方案。

晶圆尺寸洞察

300 毫米主导市场，到 2023 年占据 62.6% 的份额。300 毫米晶圆更大，每片晶圆的表面积是 200 毫米晶圆的两倍多。这导致每片晶圆的产量增加，从而降低成本。此外，人工智能、5G 和高性能计算的兴起预计将在未来十年显着推动半导体需求。这为 300mm 类别带来了巨大的机会。Form 顶部 Form 底部

Form 顶部 Form 底部 200 mm 预计将预测期内复合年增长率为 19.6%。 200 mm 是一项成熟且成熟的技术，拥有强大的生态系统。它广泛用于微处理器、射频和电源芯片等节点和应用，具有低缺陷率和始终如一的高良率。 200毫米晶圆的最大驱动力是功率和化合物半导体，它们在消费、汽车和工业领域发挥着至关重要的作用。

应用洞察

BFSI在2023年占据最大的市场收入份额，达到23.1%。BFSI行业广泛利用物联网和人工智能技术来实现实质性收益。 BFSI 越来越多地采用大数据来增强投资者决策并确保稳定的回报。连接设备的快速增加产生了大量数据，最好存储在云端。此外，金融数据量的不断增加以及对强有力的安全措施、先进内存技术的迫切需求技术在提高 BFSI 行业的运营效率和增强数据安全方面发挥着至关重要的作用。

在预测期内，电信预计将实现 19.7% 的最快复合年增长率。人工智能和物联网等新兴技术正在推动电信行业的进步。此外，最新的 5G 技术成为行业未来的关键驱动力。随着带宽的显着增加，5G的下载速度有望达到每秒10GB，标志着技术的实质性飞跃。

此外，智能手机和平板电脑等移动设备的日益普及，已成为现代生活不可或缺的一部分。随着消费者寻求改进的连接性、先进的功能和增强的处理能力，对这些设备的需求不断增长。

区域洞察

下一代非易失性内存受美国和加拿大等国家数据中心等新基础设施建设的不断增加以及数字经济快速增长的推动，预计北美市场在预测期内的复合年增长率将达到18.9%。例如，截至 2024 年 3 月，据报道美国有 5,381 个数据中心，是全球最多的国家。此外，该地区主要市场参与者加大对非易失性存储器件研发的投资，旨在满足对先进器件的需求，从而在可预见的未来进一步推动增长。

美国下一代非易失性存储器洞察

2023年，美国下一代非易失性存储器市场美国占有相当大的份额。技术的进步推动了各个领域对更高效、更可靠的内存解决方案的需求，包括消费者电子、汽车和企业应用。此外，支持美国研发的强大基础设施和生态系统促进了非易失性存储技术的创新。这包括公共和私营部门对尖端研究的大量投资，从而促进新型存储器架构和材料的开发。

欧洲下一代非易失性存储器洞察

欧洲下一代易失性存储器市场预计在 2024 年至 2030 年的预测期内实现 18.1% 的复合年增长率。这种增长可归因于更高的增长率该地区强大的工业基础和技术创新推动了对先进内存解决方案的需求。汽车、航空航天、医疗保健和消费电子等领域的应用不断增加，进一步推动了这一需求，在这些领域，可靠、高效的内存解决方案对于增强性能至关重要。性能和可靠性。

德国下一代非易失性存储器市场在欧洲下一代非易失性存储器市场中占有突出地位。汽车行业是德国的关键行业之一，越来越依赖先进的非易失性存储器技术来支持自动驾驶系统和智能设备等应用，其中数据完整性和速度至关重要。

意大利的下一代非易失性存储器市场预计将在未来几年快速增长，这得益于其对创新和可持续发展的承诺、欧洲内部的战略合作伙伴关系以及对技术进步的积极支持。

亚太下一代非易失性存储器市场趋势

2023年，亚太地区下一代非易失性存储器市场成为市场领导者，在固有因素的推动下，占据了49.20%的显着收入份额其充满活力的商业环境。移动技术和物联网 (IoT) 的普及加速了对节能且能够在断电时保留数据的内存解决方案的需求。中国、日本、韩国等国家处于半导体制造和创新的前沿。

由于消费电子产品的高需求，加上物联网 (IoT) 设备的日益普及，对高效可靠的内存解决方案的需求，中国的下一代非易失性内存预计将在未来几年实现利润丰厚的增长。此外，为了满足对视频和电话通信、远程办公和在线娱乐等服务不断增长的需求，中国正在建设包括数据中心在内的新基础设施来满足这一需求。由于投资增加，预计印度非易失性存储器市场将在预测期内快速增长

下一代主要非易失性存储器公司洞察

近期动态

• 2024 年 4 月，三星电子宣布量产其 1 太比特 (Tb) 三级单元 (TLC) 第九代垂直 NAND (V-NAND)，巩固了其在 NAND 闪存市场的领导地位。

• 2022 年，东芝和日本半导体宣布开发采用 eNVM 的模拟平台，用于汽车领域的应用。

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