日本功率晶体管市场规模

日本功率晶体管市场分析

日本功率晶体管市场规模预计到 2025 年为 31.9 亿美元，预计到 2030 年将达到 37.9 亿美元，预测期内（2025-2030 年）复合年增长率为 3.5%。

在日本，根据德国汽车工业协会 (VDA) 的数据，汽车行业在该国半导体总需求中占据很大份额，到 2022 年将成为第五大汽车市场。汽车行业从化石燃料汽车向混合动力和电动汽车的转变推动了对功率器件的需求。

• 根据合作，USJC 的晶圆厂将安装一条 IGBT 生产线，这将是日本第一家在 300mm 晶圆上生产 IGBT 的工厂。 DENSO将贡献其面向系统的IGBT器件和工艺技术。
• 同时，USJC将提供其300mm晶圆制造能力政府部门将 300 毫米 IGBT 工艺投入量产，计划于 2023 年上半年开始。IGBT 被视为功率卡的核心器件，充当逆变器中的高效功率开关，转换直流和交流电流，以驱动和控制电动汽车电机。
• 此外，2022 年 2 月，东芝电子元件及存储装置公司宣布将建造一座新的 300 毫米晶圆制造工厂，用于功率半导体（包括晶体管）位于石川县的加贺东芝电子公司，是其主要分立半导体生产基地。预计建设分两期进行，一期计划于 2024 年开始生产。当一期达到总产能时，东芝的功率半导体产能将是 2021 财年的 2.5 倍。
• 此外，东芝电子元件及存储装置公司于 2022 年 1 月推出了两款碳化硅 (SiC) MOSFET 双模块：“MG600Q2YMS3”，额定电压为1200V，额定漏极电流为600A，“MG400V2YMS3”，额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。首批具有这些额定电压的东芝产品加入了先前发布的 MG800FXF2YMS3 的 1200V、1700V 和 3300V 器件阵容。

日本功率晶体管市场趋势

消费电子产品预计将占据重要的市场份额

• 功率晶体管的主要目的是快速切换电流，同时将切换损耗降至最低。绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 广泛应用于各种消费电子应用中。对于空调、冰箱、洗衣机、微波炉、电磁炉、洗碗机等大型应用，基于IGBT的电路是合适的。
• 由于空调中逆变器的使用越来越多，以及降低大规模电源功耗的需要，对于家用设备来说，消耗大量电力的消费类家用电器对高效开关器件的需求不断增长。由于 PFC 电路中对低损耗开关器件和更高开关频率的需求不断增加，对 IGBT 的需求不断增加。
• 例如，2023 年 3 月，东芝电子元件及存储装置株式会社推出了“GT30J65MRB”，这是一款 650V 分立绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，用于空调功率因数校正 (PFC) 电路和工业设备的充足电源。东芝的 GT30J65MRB 是该公司首款用于 PFC 的 IGBT，旨在用于 60 kHz 以下的频率。这是通过降低开关损耗（关断开关损耗）以确保更高频率的运行来实现的。
• 此外，家庭经常使用电动自动洗衣机来清洗家庭衣物。功率晶体管提供的电源可用于控制电机的速度和d 洗衣机的旋转方向。由于采用功率晶体管的逆变器控制，可以调节水量和电机扭矩以适应洗涤负载，从而减少洗涤/旋转噪音和振动。
• 此外，当今大多数消费者都在寻找既能满足健康和卫生需求又能节能的先进功能。由于最近影响世界许多地区的热浪带来的需求激增，以及前两个夏天受 COVID-19 引发的封锁影响而被压抑的需求，空调和冰箱制造商将产量提高到了总产能。空调和冰箱销量的增加预计将推动功率晶体管的需求。

汽车行业预计将推动市场

• 汽车行业在总需求中占据很大份额国内的半导体。汽车行业从化石燃料汽车向混合动力和电动汽车的转变推动了对功率晶体管的强劲需求。领先的功率晶体管制造商竞相利用 SiC 和 GaN 等新材料开发更高性能的器件。
• 2022 年 4 月，移动设备供应商 DENSO Corporation 和全球半导体代工厂联华电子公司的子公司 United Semiconductor Japan Co., Ltd. 宣布，两家公司已同意在 USJC 的 300mm 晶圆厂合作生产功率半导体，以满足汽车市场不断增长的需求。
• 研究和开发该地区的开发活动也持续增加，这将有助于促进产品创新。例如，2022 年 7 月，美国和日本最近决定建立一个新的联合国际半导体研究中心。他们同意致力于下一代半导体的合作研究，这将是
• 2022年12月，Nidec-Read公司宣布推出全自动内联半导体检测设备NATS-1000，用于测试汽车IGBT（绝缘栅双极晶体管）/SiC（碳化硅）模块的功能。
• 此外，2022年9月，智能功率和传感技术提供商Onsemi宣布推出三款碳化硅产品采用传递模塑技术的 (SiC) 功率晶体管模块，旨在用于所有类型电动汽车 (xEV) 的车载充电和高压 (HV) DCDC 转换。 APM32系列是同类产品中首款采用SiC技术到传递模塑封装中以提高效率并缩短xEV充电时间的产品，专为高功率11-22kW车载充电器（OBC）而设计。

日本功率晶体管行业概况

日本功率晶体管市场较为分散，由于多家跨国公司的进入，预计在预测期内竞争将加剧。供应商专注于开发定制解决方案组合以满足当地需求。市场主要参与者包括Champion MicroElectronics Corporation、Fairchild Semiconductor International Inc.、Infineon Technologies AG、Renesas Electronics Corporation、NXP Semiconductors N.V.、Texas Instruments Inc.、STMicroElectronics N.V.、Linear Integrated Systems Inc.、Mitsubishi Electric Corporation等。

2023年1月，东芝电子元件及存储装置株式会社推出汽车用40V N沟道功率MOSFET -“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB” - 使用新型 L-TOGL（大型晶体管轮廓鸥翼引线）封装，具有高漏极电流额定值和低导通电阻。

2022 年 6 月，三菱电机公司推出了新型 IGBT 模块适用于大型光伏装置的应用。该公司声称，该器件有助于减少并网光伏装置所需的逆变器数量，同时提供同步高压运行和低功率损耗。

日本功率晶体管市场领导者

日本功率晶体管市场动态

• 2024年4月：日本富士电机推出了基于其最新绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 平台的下一代核心系列中的新型高功率模块，该平台具有具有续流二极管 (FWD) 功能的二极管。新型 HPnC X 系列 1700 V、3,300 V 级模块将于 6 月上市，专为 DC 1700 V 至 3.3 kV 之间的大型功率转换器而设计。
• 2024 年 2 月：三菱电机公司宣布推出其最新产品：6.5W 硅射频 (RF) 高功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该组件专为商用手持双向无线电（对讲机）中的射频高功率放大器而设计，计划于 2 月 28 日开始提供样品。该 MOSFET 通过单节锂离子电池在 3.6V 电压下工作，提供 6.5W 输出功率。这一开发旨在扩大商业无线电设备的通信范围并降低功耗。