日本分立半导体市场规模

日本分立半导体市场分析

日本分立半导体市场规模预计到2025年为45亿美元，预计到2030年将达到59亿美元，预测期内（2025-2030年）复合年增长率为5.59%。

分立半导体对于技术进步至关重要，特别是在汽车电子、可再生能源系统和消费电子领域。物联网、电动汽车和智能设备等新兴趋势推动了对专用分立半导体的需求。此外，鉴于这些半导体制造商的业务遍及全球，他们通常以多种货币采购材料并进行销售。因此，汇率波动会显着影响其盈利能力和竞争优势。

• 分立半导体或分立元件或设备是设计用于执行特定功能的单独电子元件。电子电路中独立运行的系统，无需集成。分立半导体的常见示例包括二极管、晶体管和晶闸管。这些组件通常封装在具有两个或多个用于电路连接的引线（引脚）的封装中。分立半导体在电子领域有着广泛的应用，从电源和放大器到控制电路和信号处理。
• 分立半导体比集成电路具有显着的优势，包括增强的灵活性、定制性和卓越的功率处理能力。它们使设计人员能够精确控制电路设计和性能，以适应更高的电压和电流水平。然而，与集成电路相比，分立元件可能需要更多的电路板空间和额外的组装步骤。
• 此外，商品价格的波动，特别是金属、硅和稀土元素等原材料的波动，会影响直接影响分立半导体的制造成本。这些波动可能会严重影响利润率，并需要调整定价策略。
• 高效的电源管理是分立半导体的重要驱动因素之一。先进的系统架构正在提高交流-直流电源适配器的效率，同时减少其尺寸和组件数量。此外，更新的以太网供电 (PoE) 标准现在支持更高的功率传输，从而促进互联照明等创新设备的开发。
• 可穿戴设备，从基础物理到最终用户体验，对于推动消费者采用至关重要。分立半导体公司可以通过在产品设计过程中密切监控市场趋势和挑战来显着受益，确保他们保持竞争优势。采用具有增强的迁移率和关键击穿场的半导体，特别是碳化硅ide（SiC）正在受到关注。这一趋势在晶体管领域尤其显着，并扩展到电力电子器件，包括肖特基势垒二极管 (SBD)、结型场效应晶体管 (JFET) 和 MOSFET 晶体管。
• 俄罗斯入侵乌克兰、中美竞争、选举和以色列战争等地缘政治挑战对全球供应链产生了重大影响，特别是对传统工业、国防、高科技领域、航空航天和绿色能源至关重要的关键原材料。俄罗斯-乌克兰战争和经济放缓对半导体行业造成了重大破坏。通货膨胀和利率上升减少了消费者支出，抑制了行业需求，导致分立半导体市场增长缓慢。

日本分立半导体市场趋势

功率晶体管预计将占据重要市场份额

• MOSFET 是主要用于在各种应用中切换和放大电子信号的半导体器件。它们属于场效应晶体管 (FET) 系列，因其能够利用电场控制两个端子之间的电流而闻名。它们在低电压下工作，同时提供快速开关和最高效率。
• 传统功率放大器的功率损耗产生了对射频高功率 MOSFET 模块的需求，这些模块提供内置输入或输出阻抗匹配电路和经过验证的输出功率性能。三菱电机等主要供应商计划在来年推出配备新型 MOSFET 的 900 MHz 模块，以扩大频率范围。据该公司称，该型号在 763 MHz 至 870 MHz 频段具有 50 W 功率输出，总效率为 40%，预计有助于降低功耗并增加无线电通信范围。
• 电子行业人们对智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能可穿戴设备和物联网设备等不同电子设备的需求激增。这些设备需要功率晶体管来实现各种功能。不断扩大的消费群体和不断推出的新电子设备推动了对功率晶体管的需求。
• 在中国庞大的制造业格局和索尼、松下等老牌消费电子公司的支持下，消费电子领域将为市场增长做出重大贡献。这将推动消费电子领域使用的电子元件制造对分立半导体的需求增长，从而推动日本市场的增长。
• 此外，据 MET 报道，2023 年，日本电子行业的电子元件和设备总产值约为 6.97 万亿日元（合 497 万亿美元）。我（日本）。在此期间，日本电子行业的总产值达到约 10.7 万亿日元（约合 0.076 万亿美元）。

汽车行业预计将有显着的市场增长

• 分立半导体是为独特的电子功能量身定制且密不可分的，在汽车电子变革中发挥着关键作用。与组合功能的集成电路 (IC) 不同，二极管、晶体管和晶闸管等分立半导体可以自主运行，增强汽车功能、安全性和连接性。这一转变预示着技术进步的新时代，提高了汽车性能和功能的基准。
• 汽车需求主要推动了分立元件市场，特别是功率晶体管和整流器。虽然传统车辆几十年来一直依赖 12V 电池系统，他们现在正在努力满足现代汽车日益增长的电子需求，这凸显了对更节能解决方案的必要性。
• 日本政府设定了一个目标，到 2050 年，日本所有新销售的汽车都是电动或混合动力汽车。该国打算向私营部门提供补贴，以加快电动汽车电池和电机的进步。为了减少碳排放，日本政府正在积极推广电动汽车（EV）的使用，从而对电动汽车基础设施开发进行了大量投资。由于政府对电动汽车购买者的补贴，日本电动汽车充电站数量激增，以适应不断增长的电动汽车数量。
• 此外，根据日本汽车经销商协会和日本轻型汽车和摩托车协会公布的数据，2023年标准尺寸电动汽车的销量为43,991辆电动汽车 (EV) 和 44,544 种日本著名轻型小型汽车的电动车型。

日本分立半导体行业概览

日本分立半导体市场较为分散，主要参与者包括：意法半导体、英飞凌科技、恩智浦半导体和 Diodes 公司等。市场参与者战略性地利用合作伙伴关系和收购来增强其产品组合并建立可持续的竞争优势。

• 2024 年 6 月：三菱电机公司宣布计划推出基于网络的服务。该服务将提供有关新型逆变器设计和验证的关键数据。该逆变器与众不同，其模块内装有三个 LV100 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。主要目标是协助客户加快开发高功率逆变器，专门用于光伏发电系统等应用。值得注意的是，原型逆变器拥有一个包含三个并行 LV100 工业 IGBT 的模块，全部位于紧凑的 100mm x 140mm 框架内，这是高功率逆变器系统的标准尺寸。
• 2024 年 3 月：英飞凌科技推出其最新产品 IAUCN08S7N013，标志着其全新 OptiMOS 7 80 V 功率 MOSFET 技术的首次亮相。这款新产品的功率密度显着提高，采用弹性大电流 SSO8 5 x 6 mm² SMD 封装。 OptiMOS 7 80 V 专为新兴的 48 V 板网应用而设计，面向汽车行业。它的设计旨在满足电动汽车中汽车 DC-DC 转换器、48 V 电机控制的严格标准，包括电动助力转向 (EPS)、48 V 电池开关以及电动两轮和三轮车等应用。

日本 Discrete 半导体市场领导者

日本分立半导体市场新闻

• 2024 年 5 月：英飞凌科技正在扩大其 SiC MOSFET 开发范围，涵盖 650 V 以下的电压。该公司推出了最新产品 CoolSiCMOSFET 400 V 系列，该系列基于今年早些时候推出的第二代 (G2) 技术。这个新的 MOSFET 系列专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而设计，与英飞凌最近的 PSU 路线保持一致地图。除了服务器应用之外，这些设备还在逆变器电机控制、太阳能和储能系统、SMPS，甚至住宅环境中的固态断路器中找到了应用。
• 2024 年 4 月：富士电机有限公司 (FE) 推出了其最新产品 HPnCSeries。这条新产品线采用大容量工业 IGBT 模块，专为太阳能和风能系统中的电源转换器等应用而设计。通过提高电流和电压额定值，这些产品提高了其集成的电源转换器的容量并缩小了占地面积。这反过来又有助于减少发电费用。