独立内存市场规模

独立内存市场分析

全球独立内存市场在预测期内预计复合年增长率为7.8%。

• 物联网设备的日益使用以及可穿戴和人工智能设备等传感器技术的采用，推动了对快速数据传输和高存储密度的需求，为全球独立内存市场的增长提供了巨大的机会或可能性。据应用材料公司称，通过物联网和边缘设备以及互联网用户生成的指数级数据量成为推动此类存储器商业化的催化剂。人工智能和数据分析应用在很大程度上推动了对这些数据的需求。
• 生成的数据呈指数级增长，没有任何减弱的迹象。在 COVID-19 大流行期间，在家工作的趋势导致视频会议等应用程序带来的数据大量增加辛。人工智能和 AR/VR 等新应用预计将在预测期内变得普遍，从而导致数据进一步繁荣。由于数据的增加，存储技术正在被推向新的标准。为了满足这些需求，DRAM 和 NAND 已经规模化。
• 另一方面，必须开发额外的内存技术来跟上数据的增长。 2021 年 9 月，韩国公司 SK Hynix 表示，STT-MRAM、铁电存储器和 ReRAM 这三种新技术可以在处理大量数据方面发挥作用。
• 由于物联网的采用，处理数据激增的需求不断增长，进一步推动了市场的发展。物联网设备的采用正在快速发生。世界各地的各种政府举措（例如智慧城市）正在支持以更快的速度部署这些设备。

独立内存市场趋势

Automotive 有望见证巨大的市场份额

• 由于自动驾驶汽车和 ADAS 集成等的兴起，独立存储器的应用正在跨越汽车领域。汽车行业的进步推动了高性能内存的采用，从而支持了市场的增长。
• 自动驾驶汽车的核心将是具有多个传感器 (AV) 的高级驾驶员辅助系统 (ADAS)。车辆将越来越多地被设计为在本地收集、分析和存储数据，并在最佳时间选择性地上传数据。这将需要车辆安装数据存储和计算设备。自动驾驶汽车的核心将是具有多个传感器 (AV) 的高级驾驶员辅助系统 (ADAS)。车辆将越来越多地被设计为在本地收集、分析和存储数据，并在最佳时期有选择地上传数据。
• 汽车行业的显着增长与分析了存储设备的集成和需求，以提高预测期内的市场增长率。例如，2021年7月，富士通开始量产4Mbit FRAM，其工作温度为125°C，属于汽车级。该 FRAM 产品符合 AEC-Q100 1 级“汽车级”组件资格标准，适用于工业机器人和汽车应用，例如需要高可靠性电子组件的高级驾驶辅助系统 (ADAS)。
• 此外，2021 年 12 月，三星开始批量生产用于下一代自动驾驶电动汽车的综合汽车内存解决方案。三星电子为下一代自动驾驶汽车发布了一系列先进的汽车内存解决方案。对于高性能信息娱乐系统，新系列包括 256 GB PCIe Gen3 NVMe 球栅阵列 (BGA) SSD、2GB GDDR6 DRAM、2GB DDR4 DRAM、2GB GDDR6 DRAM 和 128GB 通用闪存 (UF)S) 用于自动驾驶系统。
• 市场聚焦于汽车 DRAM，该领域见证了各种创新。例如，2021 年 2 月，美光科技宣布推出汽车低功耗 DDR5 DRAM (LPDDR5) 内存，该内存经过硬件测试，达到最严格的汽车安全完整性等级 (ASIL) ASIL D。美光基于国际标准化组织 (ISO) 26262 标准的全新内存和存储产品组合旨在实现车辆功能安全。

亚太地区预计将见证巨大的市场份额

• 亚太地区的半导体制造市场是该地区最重要的，推动着消费电子市场的发展。中国、印度等国家的消费电子、汽车等各个制造行业的存在和需求据分析，该地区对独立存储器的需求将增长。
• eMemory 在中国进行了长期投资，并与代工合作伙伴合作，利用一次性可编程 (OTP) 和多次可编程 (MTP) 解决方案，在从成熟节点到高级节点的多个平台上实施各种嵌入式非易失性存储器 (eNVM)。 2021 年第三季度，eMemory 在联电 40 纳米 ULP（超低功耗）工艺上推出了首款 ReRAM IP，目前正在研究 22 纳米版本。
• 印度品牌资产基金会 (IBEF) 表示，2021 年该国的电子硬件产量为 633.9 亿美元。此外，根据印度蜂窝与电子协会 (ICEA) 的数据，印度有潜力实现到 2025 年，笔记本电脑和平板电脑的制造价值将达到 1000 亿美元。据分析，这将增加对存储设备的需求，从而促进预测期内的市场增长率。
• 根据o 投资印度，国家投资促进和便利化机构，印度汽车工业价值超过1000亿美元，占出口总额的8%，占GDP的2.3%，有望到2025年成为全球第三大汽车工业。2021年12月，现代汽车宣布在印度研发投资5.3025亿美元，到2028年推出六款电动汽车。 2021年，塔塔汽车表示，私募股权公司TPG和阿布扎比的ADQ已同意在其电动汽车领域斥资10亿美元。这些因素共同影响了预测期内的市场增长率。

独立存储器行业概述

全球独立存储器市场竞争中等，有许多区域和全球参与者。创新推动产品供应市场，每个供应商都投资于创新。按键演奏包括三星电子有限公司、SK Hynix Inc.、Microchip Technology Inc.、富士通半导体内存解决方案和英特尔公司。

• 2022 年 5 月 - 著名 DRAM 制造商 SK Hynix 在 Intel Vision 大会上展示了用于服务器应用的最新内存解决方案，包括 DDR5 DIMM 以及内存处理 (PiM) 和 Compute Express Link (CXL) 等下一代技术。
• 3 月2021 年 - 三星电子已将基于高 K 金属栅极 (HKMG) 制造技术的 512GB DDR5 模块添加到其 DDR5 DRAM 内存产品组合中。全新 DDR5 将能够组织超级计算、人工智能 (AI) 和机器学习 (ML) 以及数据分析应用中最极端的计算密集型、高带宽工作负载，其性能是 DDR4 的两倍多，速度高达 7,200 兆比特每秒 (Mbps)。

独立内存市场领导者

独立内存市场新闻

•  2022 年 1 月 - 富士通半导体存储解决方案有限公司推出了具有 Quad SPI 接口的 8Mbit FRAM MB85RQ8MLX，这是富士通具有 SPI 接口的 FRAM 产品系列中密度最高的产品。该最新产品可在高达 105°C 的高温条件下以 108MHz 的最大工作频率实现每秒 54MB 的快速数据传输速率。