中国NOR Flash市场规模及份额

中国 NOR Flash 市场分析

市场分析

2025 年中国 NOR Flash 市场价值为 14.4 亿美元，预计到 2030 年将达到 20.2 亿美元，预测期内复合年增长率为 6.98%。增长源于北京推动半导体自给自足、新创采购指令，以及当地对电动汽车、工业物联网和高端消费设备不断增长的需求。国内供应商正在通过专注于平衡成本和性能的 55 nm 和 65 nm 工艺节点来提升价值曲线，而混合串行并行产品则缩小了与更高密度替代品的差距。广东、江苏和安徽的区域制造集群正在加快符合 ISO 26262 安全目标的汽车级零部件的上市时间。与此同时，智能手机、智能电动汽车和工业系统 OEM 继续青睐可快速启动和维护的就地执行存储器在恶劣条件下保持代码完整性，即使在更广泛的内存周期疲软的情况下，也能维持中国 NOR Flash 市场的弹性管道。

中国NOR Flash市场趋势与洞察

数字化的不断发展和以数据为中心的应用程序的出现

工业物联网的推出、市政智慧城市项目和人工智能驱动的边缘设备将 NOR Flash 从商品地位提升为任务关键型基础设施。安全启动序列和就地执行代码存储支撑可靠的现场操作，使高端串行部件不可或缺用于监控摄像头、交通控制器和电网传感器的文件。政府对数字基础设施试点的大力资助可加快资格周期，缩短国内供应商的批量生产时间^{[1]CSIS，“半导体供应链约束报告”，csis.org} 。固件完整性要求进一步增强了 NOR 的随机访问优势相对于基于块的替代方案的吸引力。随着应用软件占用空间的扩大，OEM 设备从 32 Mbit 迁移到 128 Mbit，在不牺牲启动速度的情况下保持单芯片设计。现场设备固件持续无线更新，锁定稳定的替代需求，确保中国NOR Flash市场持续扩张。

政府“新创”采购计划青睐国产存储器

各部委对服务器、PC和嵌入式模块强制国产化促进国内 NOR 出货量的结构性增长。一级供应商确保多年供应承诺，提供可预测的晶圆厂负荷，证明工艺节点改进的合理性。该计划中包含的更高质量保证目标提高了进货检验和可靠性测试基准，缩小了与国外现有企业的历史绩效差距。采购规则有效地限制了全国约三分之一的需求，限制了进口渗透，并使国内企业能够将研发分配给差异化、安全性增强的 NOR 产品组合。预算确定性使供应商能够谈判更长的材料合同，从而在更广泛的内存市场出现周期性波动的情况下稳定晶圆投入价格。因此，该计划嵌入了一条防御护城河，支撑中国 NOR 闪存和市场的中期弹性。
新创要求关键信息系统采用国产内容，各部委的合规期限为 2026 年，合规期限为 202 年。7 国有企业。内存被明确覆盖，划分出相当于总需求近三分之一的受保护部分。优惠合同让兆易创新和普雅能够推出新的 55 纳米产品系列，同时提高质量标准，缩小与国外同行的性能差距 ^{[2]KIOXIA，“串行 NAND 和汽车存储解决方案”，kioxia.com}。

智能电动汽车的扩展广东安徽的生产中心使用汽车级 NOR

大规模电动汽车集群压缩了汽车制造商和当地存储公司之间的开发周期。具有 ISO 26262 ASIL D 等级的汽车级 NOR 设备现已应用于数字驾驶舱、电池管理单元和域控制器，每个设备都要求在冷启动事件期间进行即时诊断。地方当局资助可靠性实验室，实现全面的温度循环和电磁干扰nce 测试靠近生产线。集群效应缩短了物流交货时间并扩大了工程协作，从而加快了产品调整速度并提高了国内供应商的设计获胜保留率。随着电动汽车软件堆栈的增长，每辆车的内存容量不断增加，进一步扩大了中国 NOR 闪存市场的可寻址份额。

快速采用需要增强型 NOR 进行代码存储的 OLED 显示驱动器

OLED 驱动器 IC 需要更长的固件块来协调像素级色彩校正和电源管理，从而提高了基准密度要求。由于支持就地执行，串行 NOR 仍然是首选，允许 SoC 直接通过四路 SPI 读取代码，无需外部 DRAM 缓冲区。高端智能手机制造商现在配备 128 Mbit 和 256 Mbit 设备，高于上一代的 64 Mbit，从而保留了纤薄的外形预算。这种产能的攀升掩盖了单价的侵蚀，从而维持了供应商的收入势头。虽然有些芽随着手机转向串行 NAND，优质显示模块仍然优先考虑启动时间一致性和低潜在缺陷，从而使 OLED 需求与中国 NOR 闪存市场的 NOR 技术紧密结合。

OLED 控制器需要更大、更快的代码空间来实现像素级算法，有利于具有就地执行功能的高带宽 NOR。中国智能手机制造商正在将容量从 64 Mbit 扩大到 128 Mbit，并采用 Quad SPI 来缩短启动延迟。东莞和深圳的设备制造商是八进制 NOR 变体的早期采用者，可提供 400 MB/s 的读取吞吐量^{[3]STMicroElectronics，“OLED 显示驱动程序概述”st.com}。

研发和制造成本高

最先进的光刻工具、专业蚀刻机和掩模组提高了资本强度，限制了新手进入成熟节点的生产线。出口管制EUV 和关键沉积设备迫使中国晶圆厂设计解决方案，从而延长了开发时间表。折旧负担压缩了毛利率，促使在需求高峰季节选择性地增加产能。控制器 IC 公司和 NOR 供应商之间的协作设计框架试图从传统工艺节点中挤出额外的带宽，但基于物理的扩展限制仍然存在^[1]。虽然政府拨款缓解了现金消耗，但财政审慎迫使连续几代技术的快速推出，从而缓和了中国 NOR 闪存市场的增长曲线。

显示器和可穿戴设备中高速 SPI NAND 的替代品不断增加

串行 NAND 通过集成页面缓冲区加速和兼容指令集缩小了延迟差距，使 OEM 无需对 PCB 进行重大修改即可更换设备。当密度超过 512 Mbit 时，每比特成本优势超过 30%，吸引了智能手表和廉价智能电视的设计者。内存供应rs 采用混合 QSPI NAND 系列进行反击，模仿 NOR 读取速度，同时保留 NAND 风格的经济性，模糊类别边界^[2]。然而，在汽车故障安全系统等路径关键代码存储中，NOR 的确定性响应仍然是不可协商的。最终效应是分段替代模式，限制了中国 NOR Flash 市场对价格敏感的细分市场的上行空间。

细分市场分析

按类型划分：串行占主导地位，并行势头强劲

串行 NOR Flash 器件占据了中国 NOR Flash 市场 79.2% 的主导地位。 2024 年，以 SPI 和 QSPI 接口为基础，只需四到八个引脚。到 2025 年，随着嵌入式微控制器在消费电子产品中用于引导代码存储的串行总线标准化，该细分市场将继续增长。 2025 年至 2030 年，受集中式自动化确定性访问需求的推动，并行 NOR 将以 3.2% 的复合年增长率增长手机电脑。 

开发人员通过采用读取速度达到 400 MB/s 的八进制器件，同时保留紧凑的引脚排列，越来越模糊串行和并行之间的界限。 GigaDevice 的 GD25LX 系列展示了串行封装如何与传统并行带宽相媲美。 ^{[4]GigaDevice, “2024 年年度报告”, gigadevice.com}

在安徽试点域控制器设计的汽车品牌看重此类产品的快速无线更新周期，无需增加电路板空间。

通过接口：采用四路 SPI在性能需求中加速

SPI Single/Dual 作为成本敏感型物联网节点的主力接口，到 2024 年将保持 45.1% 的收入份额。中国 NOR 闪存市场现在看到 OEM 路线图转向 Quad SPI，以缩短数字驾驶舱和工业 HMI 的启动时间。如果 smart-E 的采用曲线良好，Quad SPI 的复合年增长率为 7.1%，到 2029 年可能会超过 Single/DualV 仪表板保持在正轨上。

在高端领域，Octal 和 xSPI 设备正在进入需要超过 200 MB/s 持续带宽的远程信息处理和 AI 加速卡。华邦报告称，其八进制接口支持高达 416 MHz 等效传输，使高分辨率集群显示器的帧缓冲区加载速度加倍^{[5]华邦电子，“1Q25 投资者会议材料”，winbond.com}。尽管数量仍然很小，但如果 Quad SPI 的性能上限出现，这些接口就建立了迁移路径。

按密度：更高的容量占领高端细分市场

128 Mbit 层占 2024 年销售额的 27.3%，平衡了移动、物联网和工业用例的代码大小和成本。受数据量大的 ADAS 和电动汽车领域信息娱乐堆栈的推动，预计到 2030 年，中国 NOR Flash 市场规模超过 256 Mbit 的复合年增长率将达到 7.3%。埃克莱斯。 512 Mbit 和 1 Gbit 的密度仍然是小众市场，但增速最快，这得益于 Alliance Memory 和 Infineon 推出的将高密度与 QSPI 接口相结合的产品。 ^{[6]Alliance Memory，“串行 NOR 产品发布”，alliancememory.com}

中档 32 Mbit-64 Mbit 器件仍然与通信和仪表端点相关，尽管其份额随着固件覆盖范围的扩大而下滑。低于 16 Mbit 的部件逐渐退回到传统和超低成本的设备。安全增强型 NOR（例如华邦 W77Q）在所有密度上覆盖 AES-256 加密和安全启动功能，创造了新的优质子细分市场。

按电压：3 V 级占主导地位，同时保持增长领先地位

额定电压为 3 V 的设备占 2024 年的 53.2%。汽车和工业板更喜欢 3 V，因为它具有强大的噪声容限和兼容性5 V 耐受 GPIO。中国NOR Flas1.8 V 部件的市场份额涵盖可穿戴设备和移动电话，其中电池寿命胜过电压余量。

供应商引入 1.2 V 实验线与新的亚阈值 MCU 合作，但此类部件仍处于试点规模。寻求跨多种电压的单一闪存产品组合的设计人员倾向于选择跨度为 1.65-3.6 V 的宽电压选项，从而简化跨产品层的认证。华邦的 3V 汽车系列说明了为什么该电压等级仍然是 ISO 26262 系统的最佳选择。

按工艺技术节点：55 nm 占主导地位，65 nm 呈现惊人增长

2024 年，55 nm 节点供应了 53.6% 的晶圆，因为中芯国际等国内晶圆厂在该几何尺寸下实现了高良率和稳定的供应。中国 NOR Flash 市场现在对 65 nm 重新产生了兴趣，由于其在恶劣环境下的可靠性得到了验证，该技术的复合年增长率为 7.4%。台积电公布65纳米嵌入式闪存多项车规资质，让中国放心这些长期支持的模块制造商^{[7]TSMC，“嵌入式闪存技术平台”，tsmc.com}。

贸易限制限制了先进 EUV 工具的使用，使得转向 40 nm 以下的工艺变得不切实际。因此，国内 IDM 改进了 55 nm 和 65 nm 单元架构，添加了堆叠位线和电荷捕获设计，以在不缩小光刻的情况下提高密度。这些调整延长了使用寿命和写入耐久性，满足严格的车辆使用寿命要求。

按封装类型：QFN/SOIC 封装引领多功能性

QFN 和 SOIC 合计占 2024 年收入的 41.6%，每年增长 7.2%，反映了它们在热处理、电路板空间和成本之间的平衡。这些封装的中国 NOR 闪存市场规模与高温下运行的智能电动汽车和工业控制器的趋势一致。美光 16 引脚 SOIC N25Q128A11ESE40F 亮点这就是为什么 SOIC 仍然是汽车 ECU 设计的标准，其中引脚对引脚插入很重要^{[8]Micron Technology，“N25Q NOR 闪存数据表”，micron.com}。

高端手机和可穿戴设备采用 BGA 和 WLCSP 封装，提供更薄的设计型材，但组装成本较高。倒装芯片选项正在出现，用于集中式计算模块，这些模块需要在高读取频率下具有强大的信号完整性。国内OSAT投资QFN自动化线以满足新创资格队列的要求，确保为2026-2027年合规峰值提供产能空间。

按最终用户应用划分：消费电子引领，汽车加速

消费设备领先，2024年占收入的47.9%，主要以智能手机、平板电脑和智能家电为主。在遵循成熟 SPI 协议的串行设备的帮助下，国内 OEM 取代进口内存以确保物流和成本。气随着电动汽车制造商集成更大的闪存足迹以进行固件无线更新，汽车 NOR 闪存市场的复合年增长率为 7.8%。

5G 基础设施的网络设备仍然是另一个稳定的用户，需要高可靠性的启动设备，能够在连续运行下抵抗位翻转。深圳工厂的工业物联网节点嵌入安全 NOR 以保护知识产权并支持远程更新框架。西安的健康科技设备、安全摄像头和新兴的人工智能物联网中心增加了增量，扩大了国内供应商的客户群。

地理分析

区域集群定义了需求模式。广东、上海和江苏由于拥有消费电子装配线和 IC 封装厂，因此合计占据了出货量的大部分。深圳宝安本土设计中心快速通道资质，让国内晶圆厂抢占内座e OLED 智能手机和智能家居网关。江苏苏州园区增加了后端测试能力，降低了最终组件制造商的物流成本。 

安徽和江苏领先汽车内存。合肥的电动汽车走廊云集了智能电动汽车初创企业和一级供应商，他们需要 256 Mbit/s 至 1 Gbit/s NOR 的域控制器。毗邻兆易创新苏州工厂缩短了 DVT 循环，鼓励符合 ISO 26262 的联合可靠性研究。随着电动汽车建设的成倍增加，与这些省份相关的中国 NOR Flash 市场规模可能会大幅增长。 

北京和主要省会城市通过新创的授权代表了政策驱动的需求。各部委、公用事业和国有银行迁移到本地 IT 堆栈，这些堆栈对中国生产的 NOR 进行标准化，以确保固件信任根。这种稳定的拉动有助于平衡消费电子产品的周期性，并为国内供应商创造可预测的订单。跨省研发专注于安全内存的 nt 节点与这些客户共处一地，加速了功能路线图。

竞争格局

中国 NOR Flash 市场格局适度集中，国内优势不断增强。兆易创新仍然是中国顶级 NOR 闪存供应商之一，拥有从 1.2 V 微型部件到 400 MB/s 八进制解决方案的广泛产品组合。其 GD25/55 系列产品赢得 ISO 26262 ASIL D 认证，开启了优质汽车行业的参与，并标志着中国生产线的流程成熟度 ^{[9]Infineon Technologies AG，新闻稿，2025 年 5 月 8 日， infineon.com}。 Macronix 通过堆叠多个单元平面的 3D NOR 原型继续引领密度创新竞赛，这一举措旨在向下弯曲每比特成本曲线^{[10]EE Times, Jan 1, 2025, eetimes.com}。华邦继续保持出货量冠军，但将研发转向安全闪存变体，以捍卫消费者利基商品化的利润^{[11]华邦投资者大会，2025 年 5 月 7 日，winbond.com}。

普亚半导体和聚辰等国内挑战者将重点放在中密度、成本敏感的细分市场，吸引受物料清单天花板限制的物联网模块制造商。他们的轻晶圆厂模式外包晶圆制造，但投资于控制器固件国外现有企业采用双重策略，例如英飞凌，最近在汽车功能安全认证方面加倍努力，而 Alliance Memory 则扩展了高密度产品，以服务于超出 128 Mbit 上限的嵌入式板。="sup-692554" aria-label="Morningstar，2025 年 3 月 3 日，morningstar.com">[12]Morningstar，2025 年 3 月 3 日，morningstar.com。

战略举措围绕平衡密度、性能和合规性进行。满足汽车需求的供应商将资金分配给广泛的资格实验室和零缺陷计划，而那些追逐物联网容量的供应商则强调断电数据保留规范和安全启动功能。由此产生的高端和商品层的共存阻止了单一厂商的主导地位，将中国 NOR Flash 市场定位为一个竞争激烈但受政策影响的战场。