电子半导体与ICT
硅基氮化镓技术市场规模及份额
GaN On Silicon Technology
硅基氮化镓技术市场规模及份额采用结构化市场口径；市场规模覆盖2025年、2030年；预测期复合年增长率为11.51%。
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更新时间2026-07-31
内容类型市场研究报告
市场研究正文
规模、增长、细分、驱动因素与关键问题
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核心结论
硅基氮化镓技术市场规模及份额采用结构化市场口径；市场规模覆盖2025年、2030年；预测期复合年增长率为11.51%。
市场走势
市场规模变化
预测期复合增长率 CAGR11.51%机构预测 · 2030
结构化指标
| 指标 | 年份 | 数值 | 性质 |
|---|---|---|---|
| 预测期复合年增长率 | 2030 | 11.51% | 机构预测 |
| 市场规模 | 2025 | USD 810M | 机构预测 |
| 市场规模 | 2030 | USD 1.4B | 机构预测 |
细分市场份额
市场结构
| 维度 | 细分项 | 年份 | 份额 |
|---|---|---|---|
| application | telecom and 5G base stations | 2024 | 27.900% |
| device_type | discrete high-electron-mobility transistors (HEMTs) | 2024 | 35.200% |
| geography | North America | 2024 | 36.500% |
| wafer_size | 6-inch substrates | 2024 | 37.800% |
关键结论
- application 维度中，telecom and 5G base stations 在 2024 年的公开份额为 27.9%。
- device_type 维度中，discrete high-electron-mobility transistors (HEMTs) 在 2024 年的公开份额为 35.2%。
- geography 维度中，North America 在 2024 年的公开份额为 36.5%。
- wafer_size 维度中，6-inch substrates 在 2024 年的公开份额为 37.8%。
主要参与者
- Texas Instruments
- Nexperia
增长驱动因素
| 因素 | 影响 CAGR | 地区相关性 | 影响周期 |
|---|---|---|---|
| 过渡到8英寸硅基氮化镓晶圆 | +2.800% | 全球、早期采用北美和 亚太地区 | 中期（2-4 年） |
| 5G 基站和快速充电器需求激增 | +3.200% | 全球，集中在亚太地区和北方美国 | 短期（≤ 2 年） |
| 电动汽车动力系统转向用于车载充电器的 GaN | +2.100% | 北美和欧盟，扩展到北美和欧盟亚太地区 | 中期（2-4 年） |
| 数据中心 PSU 迁移至大于 3 kW GaN 设计 | +1.900% | 全球，以北方为主导美国 | 短期（≤ 2 年） |
| IEC 设备效率规则提升 GaN SMPS | +1.200% | 欧盟和北美，延伸至全球 | 长期（≥ 4 年） |
| 国家镓供应激励措施 | +0.900% | 北美和欧盟 | 长期（≥ 4年） |
市场制约因素
| 因素 | 影响 CAGR | 地区相关性 | 影响周期 |
|---|---|---|---|
| 来自 GaN-Si 的可靠性问题热失配 | -1.800% | 全球，在汽车和工业领域尤为突出 | 中期（2-4 年） |
| SiC 成本曲线仍然有利于 SiC高功率牵引 | -1.400% | 全球，以汽车牵引为中心 | 长期（≥ 4 年） |
| 稀缺 Sc2O₃ /用于外延的 AlN 缓冲液供应 | -0.900% | 全球，影响先进制造业 | 短期（≤ 2 年） |
| 中国对 gal 的出口管制lium 原料 | -1.100% | 全球，在美国和欧盟尤为严重 | 短期（≤ 2 年） |
报告关注的关键问题
到 2030 年，硅基氮化镓技术市场将达到什么收入里程碑？
硅基氮化镓技术市场预计到 2030 年将达到 14 亿美元复合年增长率为 11.51%。
硅基氮化镓技术中哪种晶圆尺寸增长最快？
8 英寸晶圆扩张 12.4% CAGR 因为它们使芯片输出翻倍并充分利用了现有的硅晶圆厂。
为什么 GaN 受到 5G 无线电功率放大器的青睐？
GaN 提供 3-6功率密度高出 th 倍传统 GaAs 器件，实现更小、更高效的 5G 无线电。
电动汽车制造商如何从 GaN 车载充电器中受益？
GaN 支持48 V 子系统可减少高达 40% 的布线重量，提高转换效率，延长车辆续航里程。
硅基 GaN 器件的主要可靠性挑战是什么？
GaN 层和硅衬底之间的热膨胀不匹配会产生机械应力，导致器件在长工作周期内性能退化。
中国的镓出口控制如何会影响GaN供应链吗？
由于中国供应98%的镓，出口限制可能会抬高原材料价格并带来采购风险，促使西方产能多元化。
Vieter 校准：机构预测不等于实际成交、订单、交付或出货。跨报告比较需要同时核对市场边界、基准年、币种及是否包含软件服务。本站不提供报告原文或全文译文。
查看来源：Mordor Intelligence
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