北美原子层沉积市场规模及份额
北美原子层沉积市场分析
2025年北美原子层沉积市场规模达到7.4亿美元,预计到2030年将达到12.3亿美元,复合年增长率为10.64%。这一增长取决于该地区作为一线半导体制造中心的地位,以及国家的激励措施、扩大的晶圆厂占地面积以及对电池、光伏和柔性电子产品的原子级精度不断增长的需求。主要代工厂正在将低于 3 纳米的逻辑和 3D-NAND 存储器转向大批量生产,甚至在洁净室建设完成之前就已经吸引了新的 ALD 工具订单。美国凭借 520 亿美元的 CHIPS 法案获得了大部分地区收入,而墨西哥的近岸浪潮推动了最快的增长。热 ALD 保持了工艺领先地位,但空间 ALD 和卷对卷系统吸引了大量资本,因为生产商权衡产量增加获得更高的资本支出。围绕超高纯度阀门和前体化学品的供应链差距依然存在,但工具制造商、气体供应商和化工公司之间的合资企业旨在实现关键投入的本地化。[1]Applied Materials,“Applied Materials 报告 2025 年第二季度结果,”appliedmaterials.com
关键报告要点
按应用划分,半导体和电子产品处于领先地位,2024 年收入份额为 38.59%;预计到 2030 年,能源和太阳能将以 13.99% 的复合年增长率增长。
按沉积方法计算,到 2024 年,热 ALD 占据北美原子层沉积市场份额的 40.23%,而空间 ALD 预计到 2030 年,复合年增长率将达到 15.40%。
按设备类型来看,单晶圆反应器占北美原子层沉积市场份额的 48.01%。 2024年北美原子层沉积市场规模;卷2025 年至 2030 年间,卷式工具的复合年增长率为 14.20%。
按前驱体化学计算,2024 年金属氧化物将占据 65.10% 的份额;金属氮化物预计到 2030 年复合年增长率为 16.72%。按地理位置划分,美国到 2024 年将占据地区收入的 84.60% 份额;墨西哥 2025-2030 年复合年增长率最高,达到 15.51%。
2024 年,ASM International 和 Tokyo Electron 共同控制北美原子层沉积市场 48% 的份额。
北美原子层沉积市场趋势和见解
驱动因素影响分析
| 半导体产能竞赛推动 ALD 工具安装 | 2.50% | 美国,并蔓延至墨西哥 | 中期(2-4 年) |
| 美国芯片法案资本支出激励措施加速晶圆厂支出 | 1.80% | 美国主要,对加拿大的间接利益 | 短期(≤ 2 年) |
| 3D-NAND 和 GAA 晶体管的兴起增加了 ALD 步骤 | 2.10% | 北美,集中在先进的晶圆厂地点 | 长期(≥ 4 年) |
| 固态电池(保护膜)研发加速 | 1.60% | 美国和加拿大,墨西哥新兴市场 | 中期(2-4 年) |
| 报告不足:卷对卷 ALD 生产线用于灵活生产传感器 | 0.90% | 美国,在加拿大设有试点项目 | 长期(≥ 4 年) |
| 报告不足:用于包装阻隔的低温 PEALD电影 | 0.50% | 北美,由消费电子产品需求推动 | 中期(2-4 年) |
| 来源: | |||
半导体容量竞赛驱动es ALD 工具安装
竞相迈向 3 nm 以下节点的代工厂正在锁定高通量反应堆的多年供应协议,解除应用材料公司和 Lam Research 的积压订单。 Tokyo Electron 已承诺投入 1.5 万亿日元用于扩大工艺设备 RandD,其中大量拨款用于 ALD 平台。器件复杂性、多层栅极堆叠和 3D-NAND 的 200 多个沉积周期将 ALD 工具时间推至晶圆总工时的 40% 以上,从而将该技术更深入地嵌入到晶圆厂工艺流程中。[2]Entegris,“Entegris 宣布扩张以支持半导体材料”,entegris.com
美国《CHIPS 法案》资本支出激励措施加速了晶圆厂支出
联邦拨款和税收抵免推动了亚利桑那州、俄亥俄州和爱达荷州的扩建,英特尔、美光和台积电正在这些地区增加产能,要求新建 ALD 室用于逻辑、内存和先进封装。 Entegris 斥资 7500 万美元扩建了一座设施,以供应超高纯度材料,而液化空气集团则承诺投资超过 2.5 亿美元用于与美光内存项目相关的高纯度气体工厂。激励窗口压缩了典型的采购周期,促使设备在工具移入里程碑之前提前数年进行预订。
3D-NAND 和 GAA 晶体管的兴起增加了 ALD 步骤
从 FinFET 过渡到环栅结构使每个器件的共形电介质和金属层成倍增加,其中一些 GAA 流量超过 50 个单独的 ALD 周期。在 3D-NAND 中,每个超过 200 个有源层都需要埃级均匀性,这将 ALD 设备的年晶圆产量预测推向新高。对深、高纵横特征的完美阶梯覆盖的要求巩固了 ALD 在未来节点中不可替代的地位。
固态电池(保护膜)的加速 RandD
阿贡国家实验室证明ALD 沉积锂磷氮氧化物薄膜可提高固态电池的循环寿命和热稳定性。汽车制造商的目标是到 2028 年进行商业发布,这促使设备制造商为电池规模的基板定制反应器。 Altech 耗资 6.84 亿欧元的涂层设施展示了商业势头,称 ALD 层可实现 30% 的能量保留收益。[4]阿贡国家实验室,“ALD 开发的保护层推进固态电池,”anl.gov
限制影响分析
| 影响时间线 | |||
|---|---|---|---|
| High 卤化物和金属有机前体的成本 | -1.80% | 北美,对加拿大和墨西哥影响严重 | 短期(≤ 2 年) |
| 工具吞吐量限制与 CVD/溅射替代方案 | -1.20% | 主要影响大批量应用的美国 | 中期(2-4 年) |
| 报道不足:超高压阀门/衬套供应链稀缺 | -0.90% | 北美,集中在先进的晶圆厂地点 | 短期(≤ 2 年) |
| 报道不足:专利池紧张阻碍了初创企业 | -0.60% | 美国,对创新中心产生溢出效应 | 长期(≥ 4 年) |
| 资料来源: | |||
卤化物和金属有机前驱体成本高昂
先进前驱体通常超过每公斤 10,000 美元,挤压了对成本敏感的光伏和柔性电子生产商的利润。有限的合格供应商增强定价能力;液化空气集团在爱达荷州的新工厂致力于实现产能本地化并缓和价格波动。回收和替代化学物质正在探索中,但广泛的商业推广还需要数年时间。
工具吞吐量限制与 CVD/溅射替代品
经典热 ALD 每小时难以生产 20 片晶圆,而 CVD 每小时可生产 100 多个晶圆。空间 ALD 现在提供 3-5 倍费率较高,但资本支出溢价延迟了领先晶圆厂之外的采用。卷对卷生产线在箔片和聚合物方面显示出前景,尽管从真空批量系统进行配方转移需要进行广泛的重新认证。
细分市场分析
按应用:半导体领导地位巩固扩张
半导体和电子细分市场占 2024 年收入的 38.59%,凸显了 ALD 在逻辑缩放、内存堆叠和先进技术中不可或缺的作用北美原子层沉积市场的包装。来自人工智能加速器和边缘设备的资本流入扩大了层数,从而锁定了基于严格缺陷限制的工具需求。受固态电池商业化时间表和需要无针孔钝化的下一代串联光伏设计的推动,能源和太阳能领域的复合年增长率最快,预计达到 13.99%。
医疗保健涂层、植入式设备和诊断光学增加了互补的增长路径。汽车电力电子器件受益于 ALD 衍生的高 k 电介质,可抑制漏电流。这些跨行业的拉动因素使收入多样化,并使北美原子层沉积市场免受单一行业衰退的影响。
按沉积方法:热 ALD 保持工艺份额
热激活通过提供经过验证的共形性和广泛的材料库,保留了 2024 年支出的 40.23%,在每个领先的晶圆厂配方中保持了席位。尽管如此,空间 ALD 15.40% 的预测复合年增长率凸显了吞吐量驱动的支点,特别是在面板规模或聚合物基板占主导地位的情况下。等离子增强 ALD 填补了 OLED 和先进封装的低温利基市场,而卷对卷试点则解决了柔性屏障的批量经济问题。
更高的生产率会改变成本曲线,但增量学习周期和备件生态系统有利于根深蒂固的热平台或近期。随着空间反应器的成熟,生产商期望混合生产线能够合并空间预填充和热精加工步骤,以平衡速率、均匀性和颗粒性能。
按设备类型:单晶圆反应器在安装中占主导地位
到 2024 年,单晶圆工具占安装基数的 48.01%,因为晶圆厂重视严格的厚度控制、室间调节以及跨多个设备节点的配方灵活性。它们的流行增强了服务网络密度和二手市场流动性,将供应商锁定在北美原子层沉积市场规模内。
间歇式反应器在后端工艺和以成本为中心的模拟生产线中保持着发展势头。卷对卷系统以 14.20% 的复合年增长率增长,对柔性电子产品和防潮包装很有吸引力,其中基材形状因素需要连续运输。模块化试点工具有助于配方概念验证,在全额资本承诺之前降低风险
按前体化学:金属氧化物设定基线
金属氧化物在 2024 年带来了 65.10% 的收入,其中以蚀刻到每个先进晶体管和 DRAM 电容器中的 Al2O3、HfO2 和 ZrO2 层为主导。他们成熟的供应链和精心设计的工艺窗口使成本状况保持可预测。受 GAA 栅极功函数调整和铜互连替代品扩散势垒的推动,金属氮化物到 2030 年复合年增长率将达到 16.72%。
硫化物和氟化物支持存储器选择层和极端光学涂层。混合有机和三元系统因区域选择性 ALD 实现分子级图案化而获得关注,这是未来十年逻辑节点的新兴差异化因素。 RandD 基础设施和密集的工具、天然气和前体供应生态系统rs。联邦激励措施可加快启动时间并增强服务物流足迹,从而巩固北美原子层沉积市场。亚利桑那州、俄亥俄州和德克萨斯州的州级拨款补充了联邦资金,并培育了一个自我强化的技能、供应商和试验线集群。
加拿大通过航空航天涂料、量子计算设备和政府资助的电池试点贡献利基增长。大学和小型工具制造商之间的合作培育了针对低温基材的新型 PEALD 配方。省级清洁能源指令进一步提升了对 ALD 光伏钝化的需求。
随着 EMS 公司和汽车一级供应商将封装、传感器和电源模块组装更接近最终车辆生产线,墨西哥的复合年增长率最高为 15.51%。美国边境附近工业园区内的激励措施与技能开发计划相结合,缩短了供应链,并将 ALD 技术传播到更广泛的北美地区ca原子层沉积市场。
竞争格局
市场集中度适中。受益于深厚的知识产权组合和早期参与 GAA 工具联合开发,ASM International 到 2024 年将占据约 30% 的份额。东京电子 (Tokyo Electron) 紧随其后,占 18%,利用蚀刻和清洁设备的跨平台协同效应。应用材料公司 (Applied Materials) 和泛林研究公司 (Lam Research) 争夺先进内存插槽,各自在最近提交的文件中引用了创纪录的 ALD 收入。
新兴专家,例如用于电池粉末的 Forge Nano 目标颗粒涂层系统,而 Picosun USA 则为试点工厂开发紧凑型集群工具。围绕阀门几何形状、前体捕获和原位计量的专利丛林限制了新进入者,引导许多人转向利基化学或柔性基材。
服务模式从交易转向基于结果的合同。供应商捆绑人工智能驱动的配方优化和预测性维护可确保多年交易。工具制造商和天然气供应商之间的合作伙伴关系将备件库放在新工厂附近,减少了平均维修时间并提高了正常运行时间指标,这对于不断扩大的北美原子层沉积行业至关重要。[3]Phys.org,“机器学习加速ALD Precursor Design,”phys.org
近期行业发展
- 2025 年 4 月:液化空气集团披露了 45 亿美元的积压投资,其中三分之一用于支持 ALD 运营的电子级天然气工厂。
- 2025 年 3 月:首尔国立大学研究人员介绍了AI 模型可预测前体合成性,加速 ALD 化学物质的发现周期。
- 2025 年 2 月:应用材料公司概述了维持延长 ALD 腔室寿命并减少人工智能时代半导体工厂中前驱体浪费的能力计划。
- 2025 年 1 月:Onto Innovation 获得了价值 6900 万美元的 Iris G2 光学计量订单,支持大批量 DRAM 生产中的超薄多层 ALD 薄膜控制。
FAQs
北美原子层沉积市场目前的价值是多少?
2025年市场规模为7.4亿美元,预计到2025年将达到12.3亿美元2030 年。
哪个应用领域占据最大份额?
半导体和电子产品占 2024 年收入的 38.59%,由低于 3 纳米逻辑和 3D-NAND 存储器生产驱动。
为什么墨西哥是增长最快的地区?
半导体组装和生产的近岸外包强大的汽车电气化举措推动墨西哥 2025-2030 年复合年增长率达到 15.51%。
空间 ALD 与热 ALD 有何不同?
Spatial ALD 在平行区域中处理晶圆,与传统热循环相比,吞吐量提高了 3-5 倍,尽管资本支出较高,但仍对大批量生产线有吸引力。
哪些供应链风险会影响市场?
高昂的前驱体成本、有限的超高纯度阀门供应商和密集的专利组合限制了扩张并提高了进入壁垒。
谁是领先的设备供应商诺特h America?
北美领先的设备供应商有哪些?





