欧洲半导体二极管市场规模及份额

欧洲半导体二极管市场分析

2025年欧洲半导体二极管市场规模达到7252.3亿美元，预计到2030年将增至8046.4亿美元，复合年增长率为2.10%。由于该地区优先考虑《欧盟芯片法案》下的技术主权，同时应对贸易摩擦和不断上升的能源成本，因此扩张保持稳定。加速汽车电气化、增加宽带隙制造投资以及 5G 的推出继续刷新需求模式。与此同时，欧盟以外的供应链集中度和波动的公用事业价格抑制了资本支出，促使企业寻求垂直一体化、长期电力合同和公私融资支持。德国和意大利的大规模产能项目凸显了国家激励措施现在如何成为整个欧洲半导体二极管市场战略产能布局的核心。^{[1]欧盟委员会，“欧洲芯片法案”，ec.europa.eu}

欧洲半导体二极管市场趋势和见解

电动汽车主导的 SiC-肖特基pull-through

欧洲汽车制造商正在转向 800 V 电池系统，该系统需要具有更低开关损耗和更高效率的二极管。与硅替代品相比，SiC 肖特基器件的效率提高了约 30%，从而提高了续航里程和充电速度。英飞凌于 2024 年 11 月宣布与 Stellantis 达成多年供应协议，凸显了 OEM 锁定战略库存的举措。该行业现在正面临着长达 18 个月的PPAP 积压，减缓了平台的发布。即便如此，该地区的汽车半导体收入到 2023 年仍将攀升至 692 亿美元，其中英飞凌占据 14% 的份额。

扩大欧盟芯片法案融资渠道

430 亿欧元的框架结合了国家和欧盟的拨款、股权和税收抵免，到 2030 年将欧盟的半导体份额提高到 20%。意法半导体为其卡塔尼亚获得了 20 亿欧元的资金SiC 中心，而英飞凌因 2025 年 2 月批准的德累斯顿智能电力工厂而获得了约 10 亿欧元的收益。补充计划，例如为荷兰光子芯片分配 3.8 亿欧元，表明了前端晶圆厂之外的生态系统方法。^{[2]欧洲央行，“制造业中的能源价格传递”，ecb.europa.eu}

电信 5G/FTTx 整流器更换周期

欧盟 5G 人口覆盖率到 Ma 已达到 89%rch 2024，利用高频二极管促进传统整流器的更新。诺基亚在德国的 3.6 亿欧元微电子投资与采用 48 V 架构的运营商保持一致，以抑制线路损耗。光纤到 x 的推出进一步激发了对能够处理更高功率密度的耐热整流器的需求。^{[3]STMicroElectronics，“卡塔尼亚 SiC 晶圆扩展详细信息”，st.com}

EV 车载充电器GaN TVS 的设计胜利

氮化镓瞬态电压抑制器的输出电容比硅器件低 50%，支持更轻、更紧凑的 800 V 充电器。英飞凌的 CoolGaN 系列于 2024 年 11 月推出，将 GaN TVS 定位为电磁兼容性合规性的首选保障。 OEM 要求减轻充电器重量和尺寸，从而加快了采用速度，尤其是在高端电动汽车车型中。

SiC 衬底成本与 Si 相比小于 6 倍

由于晶体生长成本高昂且产量较低，六英寸 SiC 晶圆的价格仍然是同等硅尺寸的六到八倍。欧洲企业的目标是到 2027 年迁移到 8 英寸基板，以确保成本下降 30-40%，但必须首先为新的晶锭炉和 CMP 生产线提供资金。意法半导体垂直整合的卡塔尼亚工厂打算内部化基板供应，而英飞凌则准备pi菲拉赫批量生产 8 英寸产品。

汽车 OEM PPAP 积压 > 18 个月

安装资格队列延迟了二极管收入的获取。每个新封装或材料变体都经过详尽的可靠性循环、故障模式分析和可追溯性审核。英飞凌在汽车微控制器市场中所占的份额为 29%，凸显了供应商多样性有限，在需求高峰期间加剧了瓶颈。

细分市场分析

按类型：肖特基在 SiC 转型中占据主导地位

肖特基器件在 2024 年占欧洲半导体二极管市场收入的 29.30%，受益于此来自低正向电压和快速开关。由于高端电动汽车平台采用牵引逆变器，碳化硅肖特基部件复合年增长率为 5.44%。汽车 ECU 的电压基准对齐纳二极管的需求保持弹性，而 TVS/ESD 二极管则受到信息娱乐和 ADAS 连接模块的良好拉动。欧盟激光类型的半导体二极管市场规模仍然有限，但具有战略意义，艾迈斯欧司朗在聚变能激光二极管上投资了 1,730 万欧元。英飞凌将于 2025 年 4 月推出集成肖特基二极管的 GaN 晶体管，展示了向单封装功率集成迈进的历程。

就销量而言，小信号开关二极管的出货量继续达到数十亿，尽管许多现在都嵌入到更大的 IC 中。 “其他”类别中的 PIN 和雪崩光电二极管适用于光通信和激光雷达。产品的广泛性表明供应商试图平衡成熟的大批量生产线与在整个欧洲半导体二极管市场上获得高利润的特种器件。

按基础材料：硅在位受到宽带隙挑战

凭借完全摊销的 200 mm 和 300 mm 生产线，硅在 2024 年保持了欧洲半导体二极管市场 71.00% 的份额。宽带隙 SiC，复合年增长率为 6.81%，虹吸管在 trac 中的份额化逆变器、光伏逆变器和快速充电器。 onsemi 计划投资 20 亿美元的捷克项目和 ST 卡塔尼亚扩建项目都是产能扩张的例证。氮化镓在数据中心 PSU 中势头强劲，效率提高 5%，可节省运营成本。 ALL2GaN 和 Transform 等欧盟支持的计划召集了 45 多个合作伙伴来推进 GaN 外延、集成和封装，突显了欧洲半导体二极管市场摆脱对传统硅的依赖而实现多元化的战略意图。

材料划分由物理原理决定：SiC 提供 10 倍的击穿电压和 3 倍的热导率，而 GaN 支持更高的开关频率和更低的电容。尽管如此，由于其成本优势和庞大的设计生态系统，硅继续主导低压消费设计。将 SiC 或 GaN 芯片与硅控制逻辑一起嵌入公共基板内的混合解决方案正在兴起，可在不牺牲成本效率的情况下提高功能密度。

按最终用途行业：汽车领先地位推动电气化

汽车和交通运输贡献了 2024 年收入的 34.20%，到 2030 年复合年增长率为 5.90%，这得益于欧洲到 2030 年新车二氧化碳排放量减少 55% 的要求。随着 800 V 动力系统、冗余电池保护和双向充电，每辆车的二极管含量不断增加。消费电子产品的 TVS 和小信号部件的销量仍然很高，但随着手机和 PC 刷新率的放缓，增长放缓。通信基础设施通过 5G 无线电和 FTTx 的推出增加了稳定的二极管牵引力，而工业自动化则依赖于用于电机驱动和机器人的强大高压整流器。

数据中心计算形成了一个高速增长的邻接关系，其中英飞凌效率高达 97.5% 的 AI 服务器 PSU 成为亮点。航空航天、国防和医疗领域（归入“其他”领域）重视超高可靠性和抗辐射规格，从而支持高价位。全面的应用多样性使欧洲半导体二极管市场免受明显的周期性影响。

按应用划分：电源整流引领效率驱动

2024 年电源整流和转换占据 42.80% 的份额，反映出每个电子系统中无处不在的 AC-DC 和 DC-DC 级。车载电动汽车充电器是增长最快的利基市场，复合年增长率为 7.10%，欧盟电动汽车普及率已超过新注册量的 25%。电压调节在嵌入式控制单元中仍然很重要，而静电和浪涌保护则使单元的增长与连接密度相关。光发射和传感应用涵盖德国 DioHELIOS 等项目下的激光雷达和工业激光器，该项目于 2025 年获得了 1730 万欧元的资金。

先进 SMPS 架构中的更高开关频率增加了对具有最小反向恢复电荷的二极管的需求。与电源整流相关的欧洲半导体二极管市场规模将受益于 MIG建筑物和工厂中的 48 V 服务器背板和分布式 DC 架构。

按封装类型：小型化推动 SMD 采用

总体而言，SMD ≤ 0603 和 SMD > 0603 封装在出货量中占主导地位。移动设备、可穿戴设备和汽车 ADAS 模块需要低于 1 毫米的外形，从而推动 0402 和 0201 占位面积的增长。通孔选项持续存在于高电流工业驱动器中，其中焊点的坚固性和散热性胜过尺寸。裸芯片和芯片级封装可用于需要最小寄生电感的电源模块和射频滤波器。

满足 AEC-Q101 要求的汽车级封装可在高达 175 °C 的结温下运行。 Nexperia 的 SOD882 无引线肖特基示例说明了小型化与汽车耐用性的结合。宽带隙的采用降低了每安培的热负载，在不牺牲可靠性的情况下释放更小的封装，这一趋势可能会在整个欧洲半导体加速发展

地理分析

德国占 2024 年收入的 27.60%，巩固了其作为欧洲二极管制造和消费核心的地位。英特尔耗资 300 亿欧元的马格德堡巨型晶圆厂和台积电耗资 100 亿欧元的德累斯顿合资企业等项目证明了持续的政策支持。萨克森硅谷集群提供密集的供应网络和熟练的劳动力资源，而巴伐利亚和巴登符腾堡州则支撑着汽车需求。然而，能源价格波动仍然是一个持续存在的障碍，影响着晶圆厂选址，并促使人们更广泛地依赖可再生能源购电协议。

英国仍然是一个重要的设计和专业制造中心。政府分析预计 2022 年半导体收入将达到 96 亿英镑，到 2030 年有望达到 13-170 亿英镑。Vishay 斥资 1.77 亿美元收购纽波特晶圆厂，确保了国内前端产能，补充了南威尔士的产能化合物半导体簇。参与欧盟资助的芯片联合计划使英国参与者可以获得 13 亿欧元的研发资助，这对于光子学和复合器件的突破至关重要。

法国利用法国 2030 计划来推动产能增加，例如意法半导体的 Crolles 到 2027 年将产能提高到每周 14,000 片晶圆。泰雷兹、雷迪埃和富士康之间关于欧元的讨论2.5 亿美元的 OSAT 设施体现了扩大下游价值链的雄心。意大利虽然历来是一个封装大本营，但由于 ST 在卡塔尼亚投资 50 亿欧元的 SiC 综合体和 Silicon Box 在伦巴第投资 32 亿欧元的组装厂，现在的复合年增长率最快，到 2030 年将达到 7.88%。

西班牙继续将 PERTE Chip 资金投入到研发中心，包括 IMEC 马拉加中心和 Openchip 微处理器项目。荷兰利用 ASML 的光刻领导力和 3.8 亿欧元的光子学拨款，巩固其在欧洲晶圆代工市场中的推动作用操作系统。总的来说，这些举措分散了整个欧洲半导体二极管市场的地理风险，同时增强了区域供应弹性。

竞争格局

欧洲半导体二极管市场表现出适度的集中度。英飞凌、意法半导体和安世半导体合计占 2024 年收入的三分之一多一点。英飞凌充分利用规模和汽车资质广度，并得到德累斯顿智能电源工厂 50 亿欧元的支持。 ST 结合了模拟、电源和 SiC 垂直集成，而 Nexperia 在汉堡和曼彻斯特保持着大批量 CMOS 和分立节点。

整合依然活跃：Vishay 收购 Newport 确保了英国的战略产能，而富士康在法国的 OSAT 谈判则表明了跨境风险投资的兴趣。英飞凌将于 2025 年推出 SiC 和 GaN，技术差异化加剧具有集成肖特基二极管的 CoolGaN G5 部件展示了器件级创新如何解锁多节点 PSU 升级。专利强化成为一条防御护城河，尤其是在欧盟公共资金规定国内知识产权创造的情况下。

利基竞争对手在光子学、激光雷达和高频射频二极管领域蓬勃发展。艾迈斯欧司朗专注于基于激光的移动传感，而欧洲光子学初创企业则利用 Horizo​​n 资金来试验芯片级封装概念。总体而言，与《欧盟芯片法案》相关的政府补助会影响资本支出布局，并加快整个欧洲半导体二极管市场的下一代器件时间表。^{[4]Vishay Intertechnology，“Vishay 完成对 Newport 晶圆厂的收购，” vishay.com}