欧洲 NOR Flash 市场规模及份额
欧洲 NOR Flash 市场分析
2025 年欧洲 NOR Flash 市场规模为 5.443 亿美元,预计到 2030 年将达到 6.7665 亿美元,预测期内复合年增长率为 4.45%。汽车中不断增加的半导体含量、严格的功能安全要求以及工业控制系统中不断扩大的边缘人工智能部署支撑着需求曲线。串行设备仍然是首选,因为 OEM 优先考虑低引脚数和紧凑的 PCB 布局以降低组装成本。由于需要安全的无线代码存储的软件定义车辆,超过 256 Mb 的高密度部件增长最快。 《欧盟芯片法案》带来的投资也增强了当地供应弹性,并缩短了欧洲原始设备制造商的上市时间。
关键报告要点
- 按类型划分,串行 NOR 占据主导地位,到 2025 年将占据 70.8% 的收入份额,而到 2030 年,并行 NOR 的复合年增长率将限制在 3.1%。
- 从接口来看,SPI Single/Dual 处于领先地位,到 2025 年将占据欧洲 NOR Flash 市场份额的 66.7%;八进制和 xSPI 预计到 2030 年将以 5.2% 的复合年增长率增长。
- 按密度计算,256 Mb 以上级别的复合年增长率为 5.6%,而 2025 年 8 Mb 及以下级别将占据欧洲 NOR 闪存市场规模的 28.3%。
- 按电压等级划分,3 V 器件占据 57.5% 的份额,而 1.8 V 器件则以复合年增长率为 5.1%。
- 按工艺节点划分,2025 年 55/58 nm 占收入的 35.7%; 28 纳米及以下是增长最快的节点,复合年增长率为 5.2%。
- 从封装来看,QFN/SOIC 格式占据主导地位,占据 46.7% 的份额;随着物联网小型化的发展,WLCSP/CSP 的复合年增长率将达到 5.4%。
- 按最终用户计算,到 2025 年,汽车将占据欧洲 NOR 闪存市场规模的 38.8%;医疗和可穿戴设备正以 5.3% 的复合年增长率攀升。
- 按国家划分,德国领先,到 2025 年将占据超过 20% 的份额;其他欧洲国家正以 5.4% 的复合年增长率领先。
欧洲 NOR 闪存市场趋势和见解
驱动因素影响分析
| 汽车 OEM 规定的闪存质量目标推动德国和北欧地区的设计 | +1.60% | 德国、北欧、法国 | 中期(2-4 年) |
| 欧盟以数据为中心的边缘 AI 推出提升了串行 NOR 在工业 PLC 中的采用 | +1.10% | 德国、法国、意大利、比荷卢经济联盟 | |
| 欧洲电动汽车转向 OTA 固件更新,推动高密度 SPI NOR 需求 | +0.90% | 德国、英国、法国、北欧 | 短期(≤ 2 年) |
| 英国和法国的电信 Open-RAN 部署需要低延迟启动代码存储 | +0.70% | 英国、法国、西班牙 | 中期(2-4 年) |
| 医疗级可穿戴设备法规 (MDR) 加速安全 NOR 集成 | +0.40% | 德国、北欧、比荷卢经济联盟 | 短期(≤ 2 年) |
| 欧盟芯片法案为 28 纳米和 45 纳米 NOR 生产线提供资金(例如德累斯顿) | +0.20% | 德国、法国、意大利 | 长期(≥ 4)年) |
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汽车 OEM 规定的闪存质量目标推动德国和欧洲其他地区的设计
德国和欧洲其他地区的汽车制造商现在要求 ASIL-D 认证闪存适用于安全关键的 ECU。英飞凌的 SEMPER 产品组合将于 2025 年达到这一标准,这标志着存储器供应商的设计获胜飞轮可以保证零缺陷质量和较长的产品生命周期 [1] Infineon Technologies AG,“Infineon SEMPER™ NOR 闪存备忘录infineon.com。能够验证 SGS-TÜV 标准的供应商正在获得溢价。该政策还渗透到工业机器人领域,其中功能安全架构反映了汽车实践。随着该指令级联到一级,它提高了每辆车的价值,并保护利润免受更便宜的 NAND 替代品的影响。
欧盟以数据为中心的边缘 AI 推出,提高了串行 NOR 的采用率工业 PLC
委员会的数据主权议程正在将分析转移到工厂车间,集成 NVIDIA TAO 模型的英飞凌 PSOC Edge MCU 体现了功耗预算低于 2 W 的 AI 平台化[2] Infineon Technologies AG,“英飞凌在 PSOC™ Edge 上推进边缘 AI 计算”,infineon.com 工业设计师指定快速、低引脚串行 NOR 来存储和扩展。在传感器附近建立人工智能推理模型,避免云往返造成的延迟。需求首先在汽车冲压和化工厂加速增长,然后扩散到食品加工和离散制造领域。
欧洲电动汽车转向 OTA 固件更新,推动高密度 SPI NOR 需求
软件定义的车辆依靠双组、高密度 SPI NOR 来提供安全的线速更新。 AUTOSAR 内的 CRYSTALS-Dilithium 等后量子签名方案增加了代码有效负载,推动了对超过 512 Mb 部件的需求 [3] Joppe W. Bos 等人,“后量子安全汽车系统的无线更新”,eprint.iacr.org。早期采用者包括德国高端电动汽车品牌,他们将零停机更新视为客户体验的差异化因素。存储器供应商有能力实现汽车级安全因此,引导堆栈正在获得首选供应商地位。
英国和法国的电信 Open-RAN 部署需要低延迟启动代码存储
沃达丰、Orange 和 Telefónica 正在通过 Open RAN 标准化来消除供应商锁定的风险。基带卡需要以低延迟 NOR 而不是商用 NAND 保存确定性启动代码,特别是在冷启动时间至关重要的偏远农村蜂窝基站[4] Microchip Technology Inc.,“商用开放式 RAN 指南”,microchip.com。最初的推出集中在英国和法国,然后扩展到西班牙,刺激了工业温度 NOR 等级的订单增量。
限制影响分析
| 消费者物联网节点中容量低于 256 Mb 的 1.8 V NAND 替代品不断涌现 | -0.70% | 英国、法国、德国、意大利 | 短期(≤ 2 年) |
| 28 nm 浮栅节点的晶圆厂级良率损失提高了平均售价波动性 | -0.40% | 德国、法国 | 中期(2-4年) |
| 欧洲特种光掩模的紧张配置阻碍了并行NOR扩张 | -0.20% | 德国、法国、意大利 | 中期(2-4 年) |
| 英国脱欧后海关延误影响英国汽车一级汽车的交货时间 | -0.20% | 英国 | 短期(≤ 2 年) |
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消费者物联网节点中 256 Mb 以下的 1.8 V NAND 替代品
对于成本敏感的在消费物联网节点中,美光科技的 1 Gb SPI NAND 缩小了读取延迟差距,同时将 BOM 成本减半[5] 美光科技,“1 Gb SPI NAND 闪存 – 功能”,farnell.com 因此,欧洲白色家电制造商指定使用 NAND。低于 256 Mb 阈值,低端 NOR 销量下降,NOR 供应商通过提高价格来应对。关于就地执行和安全性的主张是 NAND 难以匹敌的。
28 nm 浮栅节点的晶圆厂级良率损失提高了 ASP 波动性
28 nm 浮栅 NOR 面临着体逻辑晶圆厂所不熟悉的缺陷密度障碍,从而推高了平均售价的波动。德累斯顿和克罗尔斯的欧洲工厂报告称,良率提升延迟限制了高性能零件的供应,尤其是关键任务 ADAS 工作负载。欧盟芯片法案补贴有助于抵消资本风险,但流程学习曲线仍然是产出的阻碍。
细分市场分析
按类型:串行 NOR 确保成本下降优势
到 2024 年,串行设备将占欧洲 NOR 闪存市场的 70.8%。更少的引脚数意味着更小的电路板占用空间和简化的布线,这些属性与汽车远程信息处理和工业 HMI 产生共鸣。 GigaDevice 的 GD25/55 系列,通过 ISO 26262:2018 ASIL-D 认证,强调了现已融入系列产品的安全第一演进 [6] GigaDevice,“嵌入式世界:GigaDevice 展示用于边缘人工智能、绿色能源、汽车和物联网的闪存和 MCU 技术的进步,”sttinfo.fi。因此,串行单元是大众市场仪表板、动力系统控制器和智能电表的物料清单的基础。
并行 NOR 主要用于仍需要 16 位或 32 位数据总线的高可靠性传统板卡。然而,随着系统架构师迁移到符合 xSPI 标准的串行部件(可提供近乎并行的吞吐量而无需空间损失),其吸引力逐渐减弱。因此,随着串行主机在汽车和工业 MCU 上的普及,欧洲 NOR 闪存市场预计将淘汰数条并行产品线。bsp;
按接口:SPI 主流,八进制加速性能路线图
SPI 单/双接口在 2024 年占收入的 66.7%,因为它们在入门级 MCU 中保持即插即用。尽管 SPI 已经成熟,但仍在不断发展。华邦电子已证明 Quad SPI 的 133 MHz 运行速度,无需重新设计即可延长使用寿命[7]华邦电子,“串行 NOR 闪存 – 代码存储闪存”,winbond.com。
Octal 和 xSPI 设备的复合年增长率最快,为 5.2%,利用 8 字节并行性在 Macronix 的 OctaFlash 系列中实现 500 MB/s 的读取速度。[8] Macronix International,“OctaBus Memory,” mxic.com.tw随着信息娱乐领域的发展,欧洲八进制器件的 NOR 闪存市场规模预计将大幅增长控制器和以 ADAS 为中心的 SoC 需要 DDR 级带宽。
按密度:高密度浪涌反映了软件定义的移动性
到 2024 年,高达 8 Mb 的细分市场将占欧洲 NOR 闪存市场规模的 28.3%。它们对于工业驱动器中的启动代码和小型 RTOS 映像仍然是不可或缺的。然而,车辆的代码库正在不断膨胀。因此,超过 256 Mb 的设备的复合年增长率为 5.6%,反映了整合区域 ECU 的兴起。英飞凌的 512 Mb CYRS17B512 基于 40 nm SONOS,专为集群显示器等就地执行用例而定制 [9] Infineon Technologies AG, “CYRS17B512 – 512 Mb 串行 NOR 闪存”,infineon.com。
按电压等级:3V; 1.8 V 和 1.2 V 开启电池创新
由于噪声容限,3 V 仍然是汽车故障操作电路的默认值ns 和遗留设计规则。它在 2024 年占据了 57.5% 的收入。尽管如此,可穿戴设备和传感器节点的设计人员仍转向 1.8 V 部件以节省能源,而华邦首次推出的 1.2 V NOR 现在可将功耗降低 45%。随着医疗贴片和 IIoT 传感器集线器的激增,预计到 2030 年,欧洲 NOR 闪存市场 1.8 V 的收入增长将超过所有其他电压等级。
按工艺技术节点:55 纳米占主导地位,28 纳米及以下规模性能
成熟的 55/58 纳米流程占 2024 年收入的 35.7%,在成本和经过验证的可靠性之间取得了平衡。英飞凌的 SEMPER 器件利用了这一节点,同时仍满足 ASIL-D 标准,确保规避风险的汽车采购经理保持舒适。
相反,28 纳米及以下细分市场以 5.2% 的复合年增长率引领创新。欧盟芯片法案共同资助英飞凌位于德累斯顿的 50 亿美元智能功率工厂,加速了国内制造低于 30 纳米 NOR 的能力,缩短了读取延迟并降低了功耗明电流。
按封装类型:小型化重点转向 WLCSP
QFN/SOIC 在 2024 年占据 46.7% 的份额,因为通孔回流焊的稳健性适合引擎盖下的温度。然而,随着智能手表和助听器进入量产,WLCSP/CSP 出货量复合年增长率为 5.4%。 GigaDevice 的双电压 SPI NOR 直接焊接在玻璃基板上,展示了层叠封装设计如何降低时尚消费类可穿戴设备的 z 高度。
按最终用户应用划分:汽车保持首要地位,医疗加速
汽车垂直市场主导市场,到 2024 年,汽车垂直市场在欧洲 NOR 闪存市场的市场份额将达到 38.8%。UNECE R155 网络安全和欧盟电池法规等监管推动有利于串行 NOR 支持的安全启动和经过身份验证的 OTA 功能。在欧盟 MDR 网络安全条款的推动下,医疗和可穿戴设备的复合年增长率为 5.3%。 NXP 的 EdgeLock SE05x 模块与外部 NOR 集成,以保护患者数据连续血糖监测仪中的 ta [10] 恩智浦半导体,“使用恩智浦安全设备的安全医疗物联网应用程序”,nxp.com。
地理分析
在 ADAS 领导地位和英飞凌德累斯顿扩建项目(由 10 亿欧元(11.3 亿美元)公共拨款共同资助)的支持下,德国在 2025 年贡献了超过 20% 的收入。德国一级供应商承诺在本地对 NOR 进行双重采购,以对冲全球供应冲击。
欧洲其他国家是欧洲 NOR 闪存市场增长最快的集群,复合年增长率为 5.4%。 5G 的早期推出和医疗设备的专业化创造了双重需求途径。芬兰的无线模块冠军需要电池供电的传感器使用低压 NOR,而瑞典的医疗技术初创公司则指定为可穿戴设备提供安全闪存与耐多药。
由于英国脱欧后的海关摩擦延长了即时汽车工厂的入境供应,英国面临着扩张放缓的局面。尽管如此,沃达丰的 Open RAN 试验维持了基带卡中低延迟启动闪存的基本需求。
法国仍然保持多元化。 Crolles 晶圆厂与 GlobalFoundries 的合资企业解锁了嵌入式内存流程的战略自主权[11] GlobalFoundries,“2023 年 20-F 表格年度报告”,gf.com。 Orange 计划到 2025 年仅部署 Open RAN 设备,这将进一步刺激电信 NOR 消费。
竞争格局
欧洲NOR闪存市场集中度中等。英飞凌利用其对赛普拉斯的收购,将 MCU 和 ASIL-D 闪存集成到系统级封装中,锁定汽车 OEM 设计n-ins。德累斯顿智能电力工厂标志着本土化战略,在赢得政策支持的同时降低地缘政治货运风险。
Macronix 正在通过 3D NOR 追求产品差异化,目标是到 2026 年实现大规模供货,以克服平面缩放上限[12] Jessie Lee,“Macronix 计划减少库存,目标是 3D NOR 贡献,” digitaltimes.com。此举符合资源重新部署战略,削减低利润部分,同时转向保护 ASP 的高密度垂直堆栈。
兆易创新实施以安全为主导的市场渗透策略。通过为其 GD25/55 串行 NOR 获得 ISO 26262 ASIL-D 认证并将其与汽车 MCU 配对,该公司将其价值主张提升到欧洲一级。
竞争压力还来自替代技术。 Everspin 的 MRAM 提供 500 倍的写入速度能耗比 NOR 低 10 倍,使其成为功耗受限设计中可靠的颠覆者[13] Everspin Technologies,“传统内存与 MRAM”,everspin.com。因此,NOR 供应商在功能安全等稳健性和寿命领域加倍努力,而 MRAM 仍缺乏批量认证。
最新行业发展
- 2025 年 5 月:英飞凌的 SEMPER™ 系列获得 ASIL-D 认证,这是一项市场渗透举措,旨在锁定汽车生命周期协议并占领高端价格点。
- 2025 年 3 月:GigaDevice 推出 GD25/55 串行 NOR 和GD32A7 MCU 在 Embedded World 上亮相,标志着产品组合协同发挥作用,将闪存和控制器交叉销售到同一设计插槽中。
- 2025 年 2 月:英飞凌为其产品获得了欧盟芯片法案资助Smart Power Fab,一项产能扩张战略,旨在降低欧洲客户的供应风险,并将更多增值工艺步骤内部化。
- 2025 年 2 月:Macronix 宣布库存优化并加快 3D NOR 时间表,这是一项战略调整,旨在减轻周期性定价压力并重新定位于更高利润的垂直堆栈。
FAQs
欧洲 NOR Flash 市场目前规模有多大?
2025 年市场估值为 5.4433 亿美元,预计将达到 1.5 亿美元到 2030 年将达到 6.7665 亿。
欧洲 NOR Flash 市场中哪个细分市场增长最快?
上述高密度设备由于软件定义车辆需要安全的大型代码存储,256 Mb 的复合年增长率最高为 3.6%。
为什么八进制和 xSPI 接口越来越受欢迎?
它们提供高达 500 MB/s 的读取速度吞吐量高,同时保持 PCB 简单性,使其成为 ADAS 和信息娱乐控制器的理想选择。
《欧盟芯片法案》如何影响供应安全?
资金加速本地晶圆厂28纳米和45纳米产能,减少汽车级闪存对海外供应商的依赖。
MRAM带来什么竞争威胁?
MRAM 提供更快的写入速度和更低的能耗,在功耗敏感型设计中挑战 NOR;但是,NOR 在长期数据保留和功能安全认证方面保留了优势。
哪个国家引领欧洲 NOR Flash 市场产品的消费?
德国以 22.8% 的收入份额位居榜首,这得益于其强大的汽车和工业自动化生态系统。





