亚太地区NOR闪存市场规模及份额
亚太 NOR Flash 市场分析
2025 年亚太 NOR Flash 市场规模为 18.8 亿美元,预计 2030 年将达到 25.2 亿美元,预测期内复合年增长率为 6.10%。持续扩张反映了该地区在全球半导体产量、交通电气化以及快速增长的物联网产业中的中心地位,而物联网产业现在需要可靠的代码执行存储。制造商正在围绕更高的密度、更低的电压和多 I/O 接口重新调整产品路线图,以满足边缘设备和软件定义车辆严格的功耗和响应时间目标。随着印度和中国大陆新晶圆厂的投产,供应方的弹性正在改善,尽管台湾的代工瓶颈继续施加周期性定价压力。从平面架构到 3D 架构以及从 SPI 到八进制/HyperFlash 接口的战略转型正在推进
主要报告要点
- 按类型划分,串行设备将在 2024 年占据亚太 NOR 闪存市场 84.2% 的份额。
- 按接口划分,SPI 和 Dual-SPI 到 2024 年仍占据 53.2% 的市场份额,并且预计到 2030 年,八进制/HyperFlash 将以 6.1% 的复合年增长率增长。
- 按密度计算,到 2024 年,128 兆及以下(大于 64MB)的市场份额将占 30.3%,到 2030 年,256 兆及以下(大于 128MB)的复合年增长率将达到 6.2%。
- 按电压计算,八进制/HyperFlash 的复合年增长率将达到 6.2%。 3 V 级在 2024 年将占据 52.3% 的收入,而 1.8 V 级将以 6.3% 的复合年增长率扩展至 2030 年。
- 按工艺技术节点,55 纳米(包括 58 纳米)生产线将在 2024 年提供 34.2% 的市场份额,28 纳米及以下生产线将以 6.2% 的复合年增长率扩展至 2024 年。 2030年。
- 按封装类型划分,QFN和SOIC封装占据49.6%的市场份额到 2024 年,WLCSP/CSP 类型的复合年增长率将上升 6.15%,到 2030 年。
- 按最终用户应用来看,消费电子产品将在 2024 年占据最大的市场份额,达到 49.2%,汽车电子的复合年增长率为 6.5%,是最终用户中最快的。
- 2024年中国将占据亚太区NOR闪存市场规模约70%;预计到 2030 年,印度的复合年增长率将达到 7.01%。
- 华邦电子、兆易创新和旺宏电子将在 2024 年占据亚太 NOR 闪存市场 55% 以上的份额,凸显了适度的集中度。,
亚太 NOR 闪存市场趋势和见解
驱动因素影响分析
| Bo中日汽车电子未来 ADAS 和信息娱乐存储器需求 | +2.10% | 中国;日本;韩国 | 中期(2-4 年) |
| 以 OLED 为中心的智能手机设计推动高密度串行 NOR | +1.70% | 中国;韩国;台湾 | 短期(≤2年) |
| 芯片自给自足激励措施加速区域NOR晶圆厂建设 | +1.50% | 中国;印度;台湾 | 长期(≥4年) |
| 东盟物联网制造集群寻求低功耗代码存储 | +1.20% | 新加坡;马来西亚;越南;泰国;菲律宾;印度尼西亚 | 中期(2-4年) |
| 台湾和韩国工业自动化的工业4.0升级 | +1.00% | 台湾、韩国 | 中期(2-4 年) |
| 亚太地区设计公司转向八进制/HyperBus NOR 架构 | +0.90% | 中国、台湾、韩国、日本 | 短期(≤ 2 年) |
| 来源: | |||
中日汽车电子中 ADAS 和信息娱乐内存需求蓬勃发展
转向软件定义的车辆正在成倍增加必须直接从非易失性存储器,将 NOR 闪存提升为核心安全组件。中国和日本领先的一级供应商已实现了 416 MHz 读取速度的汽车级串行 NOR 标准化,以满足确定性启动要求[1]Infineon Technologies AG,“SEMPER NOR 闪存实现 ASIL-D 认证”认证”,英飞凌新闻稿,infineon.com。。该设备的内置功能安全诊断可减少系统级物料清单,并支持原始设备制造商 (OEM) 要求的更长的产品生命周期。随着 2026 年至 2028 年 ADAS 渗透率从高端车型逐渐渗透到大众市场车型,高密度零件将获得更多设计胜利。驱动器的中期窗口反映了典型的汽车资格周期,从样品到批量生产需要四年时间。
以 OLED 为中心的智能手机设计igns 在中国和韩国推动高密度串行 NOR
OLED 显示模块需要大量初始化固件,从而使中国和韩国组装的旗舰手机中的 NOR 闪存密度超过 1 Gbit。最新的串行 NOR 系列以 400 MB/s 的速度传输固件,可在开机期间实现近乎即时的显示校准[2]GigaDevice Semiconductor,“GD25/55 NOR Flash Certified to ASIL-D”,GigaDevice新闻,gigadevice.com。。快速的智能手机更新周期会导致采购量立即激增,因此亚太地区 NOR 闪存市场的影响将在未来两年内显现出来。多传感器摄像头阵列将人工智能代码上传到图像信号处理器,从而增加了每部手机的平均字节数,从而放大了需求。
芯片自给自足激励措施加速区域 NOR 工厂建设
中国的政策支持印度对设备采购提供补贴并提供免税期,缩小了与台湾老牌生产商的成本差距。 GigaDevice等国内厂商已流片低于22纳米平台,而印度即将建成的晶圆厂计划在2028年推出第一条28纳米嵌入式NVM生产线[3]TrendForce分析师团队,“美国设备制造商深化印度投资”投资”,TrendForce Insights,trendforce.com。新产能缩短了本地电子组装商的货运交货时间,符合有利于本地内容的政府采购指南,并最终提振亚太地区 NOR 闪存市场。由于晶圆厂建设周期为三到五年,全面提升将在本十年末实现。
东盟的物联网制造集群需要低功耗代码存储
新加坡、马来西亚和越南的边缘设备优先考虑微阵列p 级待机电流可延长纽扣电池的使用寿命。超低功耗串行 NOR 系列现在在深度睡眠状态下的功耗低于 15 µA,与前几代产品相比下降了 50% [4]Macronix International,“Macronix 宣布 3D NOR 采样”计划”,Macronix 时事通讯,macronix.com。。随着东盟合约制造商扩大其物联网产品组合,每英寸板的平均 NOR 密度不断上升,有助于亚太地区 NOR 闪存市场的拓展,超越传统消费电子产品。该驱动因素被标记为中期,与新建工业园区的电子产品生产提升时间表相匹配。
限制影响分析
| 地理相关性 | |||
|---|---|---|---|
| 深圳设计中的低成本 NAND 和 ReRAM 拆解获胜 | -0.80% | 中国;台湾 | 中期(2-4 年) |
| 台湾 12 英寸代工紧张导致价格波动 | -0.70% | 台湾(全球波动) | 短期(≤2 年) |
| 28 nm/22 nm NOR 研发资本支出与主流逻辑线相比不断升级 | -0.60% | 台湾、韩国、中国 | 中期(2-4年) |
| 对中国大陆EUV/DUV工具的出口管制限制 | -0.50% | 中国,溢出到台湾 | 长期(≥ 4 年) |
| 来源: | |||
深圳的低成本 NAND 和 ReRAM 蚕食
当不强制执行就地执行时,价格敏感的消费类设计正在取代串行 NAND 或嵌入式 ReRAM。串行 NAND 提供高达 8 Gbit 的容量,且每比特成本低于 NOR,吸引了深圳原始设计制造商 (ODM) 主导的预算智能手机和物联网项目 [5]Macronix International,“超低功耗MX25R NOR 产品组合概述”,产品简介,macronix.com。。代工厂大规模生产 22 nm 嵌入式 ReRAM 的并行举措进一步侵蚀了 NOR 的潜在市场。虽然性能权衡但这种逐步转变可能会降低亚太地区 NOR 闪存市场未来三年的增长轨迹。
台湾 12 英寸晶圆代工紧张导致价格波动
随着逻辑、DRAM 和图像传感器客户争夺相同的 12 英寸产能,先进工艺线被超额认购。因此,NOR 供应商面临后端瓶颈,导致季度间平均售价波动超过 15%,这可能会推迟缺乏预算灵活性的 OEM 的采购决策 [6]KIOXIA Corporation,“串行 NAND 系列提供更低的每比特成本”。降低每比特成本”,KIOXIA 新闻中心,kioxia.com。。一旦台湾新产能在 2027 年左右投入使用,救济就会出现;在此之前,亚太 NOR 闪存市场将经历周期性库存调整。
Se按类型划分:串行 NOR 巩固设计优势
串行器件在亚太 NOR 闪存市场规模中占据主导地位,到 2024 年将占据 84.2% 的份额。它们的 4 到 8 引脚封装支持可穿戴设备和传感器节点中的纤薄 PCB 布局,而最近的 Quad-SPI 升级缩小了与并行接口的历史吞吐量差距。设计人员喜欢更短的布线和更简单的控制器逻辑,从而降低电磁干扰。展望未来,随着新发布的 3D 器件在不改变引脚数的情况下提高每个封装的密度,串行 NOR 预计将在 2030 年实现稳定的复合年增长率。p>
并行 NOR 在重视宽总线宽度的电信背板和传统可编程逻辑控制器中保持着一席之地。即便如此,串行时钟频率提高至 416 MHz 后,片上系统供应商能够以更少的物理迹线满足启动时间目标。这种差异将亚太 NOR 闪存市场分为低引脚数、功耗敏感的设备和带宽需要大量资源的工业平台。供应商还将安全启动功能直接捆绑到串行 NOR 芯片中,加强了对必须承受远程攻击的连接设备的选择。
通过接口:八进制/HyperFlash 势头强劲
得益于数十年的生态系统熟悉度,SPI 和 Dual-SPI 到 2024 年仍占据亚太 NOR 闪存市场 53.2% 的份额。然而,八进制和 HyperFlash 接口提供高达 800 MB/s 的系统带宽,复合年增长率为 6.1%。更高速的总线切片缩短了无线汽车模块中的固件更新时间,满足要求及时部署补丁的网络安全指令。
一旦新一代微控制器支持 xSPI JEDEC 标准,允许供应商之间的直接互换,采用就会加快。此外,与吞吐量相当的 16 位并行解决方案相比,八路器件减少了总引脚数,从而释放了数字驾驶舱模块中的电路板空间。因此,亚太地区 NOR fl边缘人工智能网关等灰烬市场应用现在将八进制评估为基准而不是升级路径。
按密度:容量迁移支撑固件复杂性
密度部分 128 兆及以下(大于 64MB)在 2024 年占市场份额的 30.3%,反映了历史微控制器固件足迹。尽管如此,ADAS 功能集和基于 AI 的图像管道增加了片上代码大小,将需求推至 256 Mbit 以上。 256 兆及以下(大于 128MB)的容量预计每年增长 6.2%,这得益于 3D 堆叠,每个芯片的密度增加了八倍,同时保留了串行 NOR 的待机功耗优势。
更高的密度还允许制造商实施冗余存储分区,从而实现无缝无线更新。这种方法现在在信息娱乐主机中很常见,它不能承受现场固件损坏。因此,亚太地区 NOR 闪存市场正在见证终生价值随着原始设备制造商采用更大的部件来覆盖启动代码和故障安全备份映像,每个插槽的数量会增加。
按最终用户应用:汽车电子提高标准
由于手机和物联网的销量,消费电子产品在 2024 年占据了最大的市场份额,达到 49.2%。尽管如此,随着数字驾驶舱从双集群显示器迁移到全宽仪表板,汽车电子将引领未来的增长,到 2030 年复合年增长率为 6.5%。 NOR 闪存固有的就地执行功能简化了在安全关键型启动期间无法承受外部 DRAM 延迟的系统架构。
工业和基础设施领域继续重视 NOR 的长耐用性和超过 20 年的数据保留能力。在工厂数字化项目中,可编程逻辑控制器将实时操作系统内核存储在板载 NOR 中,并在断电后立即加载它们。因此,亚太地区 NOR Flash 市场机会现在涵盖智能电网节点和铁路信号、扩大到消费电子产品之外。
按电压:低压轨迹提高电源经济性
3 V 级器件到 2024 年将保留 52.3% 的亚太 NOR 闪存市场份额,服务于传统的消费类和工业主板,这些主板的稳压器重新设计会带来高昂的转换成本。然而,在以电池为中心的物联网和重视节省每一毫瓦的可穿戴设备的推动下,1.8 V 级的复合年增长率为 6.3%。
从架构上看,先进的 58 nm 硅可将动态功耗降低 45%,同时将芯片面积缩小 60%,使 NOR 能够在每比特焦耳的基础上保持与低成本 NAND 的竞争力[7]WIN Semiconductors ESG 团队,“研究与创新 - 绿色产品”,企业可持续发展报告,esg.winbond.com。运行多电压域的 OEM 越来越多地采用集成电平转换器,协调 1.1 V d具有 1.8 V 内存轨的数字内核,无需增量 PCB 层。
2.5 V 级服务于需要更宽噪声容限的混合信号仪表组,并且随着安全关键型模块迁移到 1.8 V 以获得热余量,该仪表组可能会趋于稳定。总体而言,亚太 NOR 闪存市场继续平衡代际电压等级,以匹配不断发展的电源管理路线图。
按工艺技术节点:先进节点释放密度经济
55 纳米(包括 58 纳米)生产线在 2024 年占据 34.2% 的市场份额,这是成本优化的工业产量的最佳点。然而,亚太地区 NOR 闪存市场动态目前青睐 28 纳米及以下工艺,由于 IC 制造商在不扩大封装尺寸的情况下追求 3-5 倍的密度提升,复合年增长率为 6.2%。 工程迁移变得更加资本密集型:先进的光刻工具和纠错算法提高了每晶圆的资本支出,但在产品生命周期中压缩了每兆比特的成本。马克·拉佩dus 指出,领先的代工厂已经在评估 28 nm 后节点的 MRAM 覆盖,这表明如果传统浮栅可扩展性停滞,将采取面向未来的议程[8]Mark LaPedus,“台积电技术的五个要点”研讨会,”Semiecosystem,marklapedus.substack.com。与此同时,3D NOR 架构可堆叠字线平面,使每个芯片的容量高达 8 倍,从而使亚太 NOR 闪存市场在边缘 AI 推理和下一代 HMI 仪表板方面保持重要地位。
按封装类型:小型化提升集成密度
QFN 和 SOIC 封装在 2024 年占据 49.6% 的市场份额,因其机械稳健性和供应链而备受赞誉。熟悉度。汽车 OEM 厂商非常欣赏 QFN 的散热器选项和经过现场验证的可靠性。然而,亚太地区 NOR 闪存市场势头正在转向晶圆级,这是 WLCSP / CSP 类型,随着电路板设计人员压缩耳塞、智能手表和激光雷达边缘节点中的 z 高度,复合年增长率将提高 6.15%。
WLCSP 无需基板和焊线,提供与芯片面积几乎相同的封装,而 CSP 的后通孔方法可保持高功率边缘 AI 协处理器的热完整性。球栅阵列在需要超过 88 个信号引脚和卓越焊点疲劳寿命的电信和工业 PLC 中保持平衡。因此,包装创新同时也是一种竞争杠杆;英飞凌等供应商将同一芯片适应多种外形尺寸,使 OEM 无需重写固件即可执行后期设计枢轴 [9]Winbond Electronics Corporation,“HYPERRAM™ 3.0 Doubles Data Rate”,Winbond Newsroom, winbond.com.
地理raphy 分析
2024 年,中国贡献了亚太 NOR 闪存市场收入的约 70%,这得益于从硅到系统组装的端到端价值链深度。国内龙头企业受益于国家激励措施,这些激励措施减轻了出口管制摩擦,并在光刻禁运的情况下保持晶圆厂的负荷。总部位于上海和广州的数字驱动汽车制造商通过在每个电子控制单元嵌入多个 NOR 插座来复合需求。
日本和韩国利用严格的流程控制和零 ppm 缺陷计划共同供应高档汽车和工业模块。韩国企业集团将 DRAM 专业知识交叉运用到 NOR 产量提高中,从而增强成本竞争力。这两个经济体合计占亚太 NOR 闪存市场的近 20%,其上行空间取决于下一代信息娱乐和工业机器人的推出。
印度仍然是突破性的地区,以 7.01 的速度前进%复合年增长率。生产相关激励方案通过补偿嵌入式 NVM 生产线高达 50% 的资本支出来降低绿地投资风险,同时美光在古吉拉特邦耗资 27.5 亿美元的组装测试设施冷启动国内后端供应链[10]美光科技公司,“美光将在印度投资 27.5 亿美元 ATMP”,美光新闻编辑室,micron.com。马来西亚和越南等东盟国家成为第二来源组装中心,确保了希望对冲地缘政治风险的美国和欧盟 OEM 的多元化并缩短了交货时间。
竞争格局
亚太 NOR 闪存市场仍然适度集中;前五名供应商控制着大约 70% 的收入,但长尾保持了定价紧张在。华邦电子、兆易创新和旺宏电子在 2024 年占据亚太地区 NOR Flash 市场约 55% 的份额。华邦电子凭借完全在台湾本土生产 512 Kbit 至 512 Mbit 的密度而处于领先地位,这赋予了地缘政治供应信心。在中国智能手机和新兴汽车电子生态系统的推动下,兆易创新排名第二。 Macronix 紧随其后,明确关注满足 ASIL-D 要求的汽车级零件。
战略差异化围绕接口创新和垂直整合。华邦与微控制器制造商合作共同验证 xSPI 协议,从而缩短 OEM 的认证时间。 Macronix 将研发投入 3D NOR,在不牺牲串行占用空间兼容性的情况下寻求容量空间。中国新企业采用“精简晶圆厂”模式,将晶圆外包给当地代工厂,同时专注于固件优化,以吸引物联网设计师。安全也成为一个战场。一些供应商嵌入了物理上不可克隆的 fu功能块来保护连接节点上的启动代码。
供应商产品组合越来越与应用程序集群保持一致,而不是一刀切。英飞凌将其 SEMPER 系列专门用于安全关键的汽车和工业市场,定位于长途可靠性和耐辐射性。较小的公司在超低功耗可穿戴设备或工业极端温度领域开辟了利基市场,形成了分层竞争,有利于设备制造商提供灵活的采购选择。因此,创新步伐依然强劲,保持了亚太 NOR 闪存市场的前进势头。
近期行业发展
- 2025 年 5 月:英飞凌的 SEMPER NOR 系列获得全面的 ASIL-D 认证,巩固了其在安全关键型汽车子系统中的目标定位。战略 – 利用合规凭证锁定数字驾驶舱的长期设计胜利。
- 2025 年 3 月:GigaDevice 在 Embedded World 上推出了 GD25/55 串行 NOR 系列,覆盖 2 Mbit–2 Gbit,并通过了 ISO 26262 ASIL-D 认证。策略 - 将密度扩展与安全认证相结合,以获取下一代汽车电子控制单元。
- 2025 年 1 月:华邦电子和英飞凌联合发布 HYPERRAM 3.0,为物联网和汽车集群提供 800 MB/s 的吞吐量。战略 – 捆绑互补的 NOR 和 pSRAM 产品,以提高片上系统制造商之间的平台粘性。
- 2024 年 11 月:英飞凌推出了适用于太空系统的抗辐射 512 Mbit QSPI NOR 器件,将内存产品组合扩展到航空航天应用。战略 - 终端市场多元化以平滑收入周期性。
FAQs
亚太地区 NOR 闪存市场目前规模有多大?
2025 年市场规模为 18.8 亿美元,预计将达到近 25.2 亿美元到 2030 年。
哪个国家引领 NOR Flash 的区域需求?
由于其广泛的电子制造生态系统和汽车电子产品,中国占据了约 70% 的收入
为什么八进制和 HyperFlash 接口获得认可?
它们提供高达 800 MB/s 的吞吐量,数据密集型汽车和工业系统中的启动时间。
3D NOR 将如何使嵌入式应用受益?
3D 堆叠可提供高达八倍的密度增加每个芯片的容量,从而在不牺牲就地执行功能的情况下实现复杂固件的单封装存储。
什么威胁着成本敏感型设计中 NOR Flash 的增长?
低成本串行 NAND 和新兴 ReRAM 提供更高的位密度,有可能在不需要就地执行的情况下取代 NOR。





